本文關(guān)鍵詞：碳化硅超高溫合成爐內(nèi)氣體流動特性研究

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【摘要】：通過對碳熱還原法合成SiC冶煉爐的復(fù)雜爐況進(jìn)行數(shù)值模擬及實驗,研究了單熱源爐內(nèi)氣體流動的動態(tài)變化規(guī)律。研究表明,單熱源爐內(nèi)氣體的流動呈現(xiàn)三維立體多向流規(guī)律,氣體流動依次沿著:熱源延伸方向、垂直熱源延伸方向、環(huán)繞SiC結(jié)晶筒方向流動。根據(jù)氣體流動特性,可以在環(huán)繞結(jié)晶筒氣流出現(xiàn)的以外部分加入少量木屑,以增加氣孔率,使得氣體順利向外部擴(kuò)散,有利于爐內(nèi)壓力的釋放;控制爐體長度,可以在一定程度上減少平行熱源延伸方向氣體流動的范圍,從而縮小成品的氣孔大小,提高SiC成品質(zhì)量。
【作者單位】： 西安科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 超高溫合成爐 碳化硅 流動特性 數(shù)值模擬
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(51074123) 陜西省教育廳科研計劃項目(12JKI0785) 榆林市產(chǎn)學(xué)研合作項目(2011)西安科技大學(xué)博士基金(2011QDJ022)資助
【分類號】：TQ163.4
【正文快照】： 碳化硅具有化學(xué)穩(wěn)定性好、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等諸多優(yōu)越性能,被廣泛應(yīng)用于冶煉、半導(dǎo)體、壓電晶體、航空航天、光伏等行業(yè)[1-5]。目前碳化硅合成的方法比較多,然而考慮到生產(chǎn)成本、產(chǎn)量、能耗等各方面因素碳熱還原法依然是工業(yè)制備Si C的主要方法[6]。但碳

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本文編號：1019325