本文關(guān)鍵詞：酸性鍍銅添加劑對(duì)電沉積循環(huán)伏安曲線成核環(huán)的影響

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【摘要】：金屬電沉積的循環(huán)伏安(CV)曲線上的成核環(huán)可以用于分析添加劑對(duì)電沉積的影響及其作用機(jī)理。以常用的3種酸性鍍銅添加劑為例,探討了不同添加劑下成核環(huán)的形成特點(diǎn),并從其成核環(huán)的位置以及構(gòu)成成核環(huán)的電流曲線來(lái)探討添加劑對(duì)銅沉積的影響及其機(jī)理。結(jié)果表明:當(dāng)成核環(huán)分別位于不加添加劑的陰極電位和陽(yáng)極電位方向時(shí),添加劑對(duì)金屬電沉積分別具有阻化和促進(jìn)作用;陰極掃描方向電流密度Jb和回掃的陽(yáng)極電流密度Ja是CV曲線成核環(huán)的兩個(gè)特征參數(shù),添加劑作用下的Ja和Jb與不加添加劑的接近,表明添加劑通過(guò)吸附-脫附機(jī)理影響金屬的沉積,反之表明添加劑在電極表面參與化學(xué)反應(yīng)。
【作者單位】： 重慶大學(xué)資源及環(huán)境科學(xué)學(xué)院煤礦災(zāi)害動(dòng)力學(xué)與控制國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 成核環(huán) 添加劑 循環(huán)伏安曲線 銅 電沉積
【基金】：CMDDC國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室自主項(xiàng)目(2011DA105287-ZD201202) 重慶市科技計(jì)劃項(xiàng)目(cstc2013jcyjys90001)資助
【分類號(hào)】：TQ153.14
【正文快照】： 0前言近年來(lái),鍍銅在納米材料科學(xué)(如封裝和磁記錄的納米多層膜)及半導(dǎo)體微電子工業(yè)(如IC中的銅互連線超等角填充技術(shù))中發(fā)揮了非常重要的作用。銅的電沉積,特別是在異相基底上的金屬電沉積,一般都經(jīng)過(guò)電結(jié)晶過(guò)程。電結(jié)晶過(guò)程是電沉積的初始階段,包括金屬的成核和核的生長(zhǎng)過(guò)程

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 ;用于高裝飾精飾電沉積銠[J];材料保護(hù);1999年10期

2 徐秉森 ,劉殿生 ,宋方考;電沉積制備天然，

本文編號(hào)：1010056