本文關(guān)鍵詞：二硫化鉬二維原子晶體化學(xué)摻雜研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： 二維二硫化鉬 化學(xué)摻雜 表面吸附 面內(nèi)取代 插層

【摘要】：以二硫化鉬(MoS_2)為代表的半導(dǎo)體二維過渡金屬硫族化合物(TMDCs)具有優(yōu)異的光電特性,在新型電子器件領(lǐng)域展示出廣闊的應(yīng)用前景。二維MoS_2的性能調(diào)控與功能協(xié)同是實(shí)現(xiàn)其在電子器件領(lǐng)域?qū)嵱没年P(guān)鍵。化學(xué)摻雜是調(diào)控二維MoS_2的性能并豐富其材料特性最為直接而有效的方法之一。本文重點(diǎn)介紹了基于表面電荷轉(zhuǎn)移、面內(nèi)取代以及層間插層策略的摻雜方法,討論了各種摻雜方法的基本原理、最新進(jìn)展以及局限性,最后展望了二維MoS_2摻雜研究面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展方向。
【作者單位】： 北京化工大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院;清華大學(xué)化學(xué)系;
【關(guān)鍵詞】： 二維二硫化鉬 化學(xué)摻雜 表面吸附 面內(nèi)取代 插層
【分類號(hào)】：O74
【正文快照】： 1引言 二維過渡金屬硫族化合物(TMDCs)是一個(gè)新興的材料家族,呈現(xiàn)出豐富多彩的新奇性質(zhì),在光電器件、能源和催化等領(lǐng)域展示出巨大的應(yīng)用前景1-4。TMDCs家族具有豐富的元素組成與電子結(jié)構(gòu),涵蓋了導(dǎo)體(含超導(dǎo)和電荷密度波材料)與半導(dǎo)體材料5-9。其中單層Mo S2具有本征的直接帶

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本文編號(hào)：961985