本文關鍵詞：二硫化鉬二維原子晶體化學摻雜研究進展

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【摘要】：以二硫化鉬(MoS_2)為代表的半導體二維過渡金屬硫族化合物(TMDCs)具有優(yōu)異的光電特性,在新型電子器件領域展示出廣闊的應用前景。二維MoS_2的性能調控與功能協(xié)同是實現(xiàn)其在電子器件領域實用化的關鍵�；瘜W摻雜是調控二維MoS_2的性能并豐富其材料特性最為直接而有效的方法之一。本文重點介紹了基于表面電荷轉移、面內取代以及層間插層策略的摻雜方法,討論了各種摻雜方法的基本原理、最新進展以及局限性,最后展望了二維MoS_2摻雜研究面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展方向。
【作者單位】： 北京化工大學化學工程學院;清華大學化學系;
【關鍵詞】： 二維二硫化鉬 化學摻雜 表面吸附 面內取代 插層
【分類號】：O74
【正文快照】： 1引言 二維過渡金屬硫族化合物(TMDCs)是一個新興的材料家族,呈現(xiàn)出豐富多彩的新奇性質,在光電器件、能源和催化等領域展示出巨大的應用前景1-4。TMDCs家族具有豐富的元素組成與電子結構,涵蓋了導體(含超導和電荷密度波材料)與半導體材料5-9。其中單層Mo S2具有本征的直接帶

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本文編號：961985