高能電子輻照和退火對磷鍺鋅晶體紅外光學性質的影響
本文關鍵詞:高能電子輻照和退火對磷鍺鋅晶體紅外光學性質的影響
【摘要】:對采用改進的垂直布里奇曼法生長出的磷鍺鋅(ZnGeP2)單晶體樣品,在300 K,10 MeV高能電子束下進行輻照實驗,測試輻照前后其紅外透過率。同時,對樣品進行同成分粉末包裹退火處理,對比兩種工藝對磷鍺鋅晶體紅外透過率的影響。實驗結果表明,退火和高能電子輻照都能對磷鍺鋅晶體的紅外光學性質產生影響,提高其紅外透過率。在本文的實驗條件下,退火工藝對磷鍺鋅晶體紅外透過率的提高更為明顯。
【作者單位】: 四川大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】: 磷鍺鋅 高能電子輻照 退火 紅外透過率
【基金】:國家自然科學基金重點項目(50732005)
【分類號】:O734
【正文快照】: (Received 20 August 2015,accepted 29 September 2015)1引言磷鍺鋅(Zn Ge P2)晶體是一種性能優(yōu)異的,具有II-IV-V2黃銅礦型結構的中遠紅外非線性光學晶體材料,其透光范圍為0.65~12μm。相比其他同類型材料,磷鍺鋅晶體非線性系數大、熱導率和光損傷閾值高、硬度大易于機械加工
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本文編號:923519
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