本文關(guān)鍵詞：Ag棒上ZnO納米棒陣列的光電催化活性

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【摘要】：采用簡單的化學(xué)溶液生長法,在Ag棒表面包覆生長一層ZnO納米棒陣列.利用該結(jié)構(gòu)光電催化降解羅丹明B,其效率遠(yuǎn)高于電降解和自降解,約為光催化降解的2倍,表明外加電壓能有效提高催化劑的光催化效率.研究了不同工作電極間距對(duì)催化效率的影響,結(jié)果表明,最佳電極間距約為1.0 cm.
【作者單位】： 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院;鄭州職業(yè)技術(shù)學(xué)院現(xiàn)代管理系;
【關(guān)鍵詞】： 化學(xué)溶液法 ZnO納米棒陣列 光電催化
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11504331) 河南省教育廳高等學(xué)校重點(diǎn)科研項(xiàng)目(15A140040)
【分類號(hào)】：TB383.1;O643.36
【正文快照】： 0引言光電催化降解有機(jī)污染物的原理,是在光催化基礎(chǔ)上通過施加外加電壓抑制光生電子和空穴的復(fù)合,從而提高了催化效率[1].文獻(xiàn)[2]利用電化學(xué)陽極氧化法制備Ti O2納米管,其3 h內(nèi)光電催化降解甲基橙的效率高達(dá)100%,而光催化效率僅為10%.文獻(xiàn)[3]利用同樣的方法制備Ti O2納米管,

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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本文編號(hào)：664980