單壁碳納米管改變手性外延生長的密度泛函理論研究(英文)
本文關(guān)鍵詞:單壁碳納米管改變手性外延生長的密度泛函理論研究(英文)
更多相關(guān)文章: 單壁碳納米管 手性變化 ~缺陷 外延生長 密度泛函理論
【摘要】:采用密度泛函理論計算系統(tǒng)研究了單壁碳納米管(Single-walled carbon nanotube,SWCNT)改變手性外延生長(手性指數(shù)從(n,m)變化到(n±Δ,m±Δ),其中Δ=1和2)的熱力學(xué)過程。結(jié)果表明,碳管手性變化后外延生長在熱力學(xué)上都需要吸收能量,其所需吸收的能量隨著管徑的減小線性減小。在Δ=1的情況下,由于近扶手椅型碳管改變手性時,所引入的5~7元環(huán)對與管軸的夾角比近鋸齒型碳管更大,導(dǎo)致5~7元環(huán)對的形成能增加,使得管徑相同的近扶手椅型碳管比近鋸齒型碳管在改變手性生長時需要吸收更多的能量。在Δ=2的情況下,發(fā)現(xiàn)只有當(dāng)兩個必須引入的5~7元環(huán)對相互毗鄰,手性改變的外延生長所需能量最小,預(yù)測其為實驗上最易于實現(xiàn)的碳管手性指數(shù)由(n,m)變化到(n±Δ,m±Δ)的外延生長模式。這些理論研究結(jié)果有助于深入理解SWCNTs手性變化后外延生長的熱力學(xué)行為,可為基于外延生長可控制備單一手性SWCNTs提供理論依據(jù)。
【作者單位】: 中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家(聯(lián)合)實驗室;
【關(guān)鍵詞】: 單壁碳納米管 手性變化 ~缺陷 外延生長 密度泛函理論
【基金】:National Natural Science Foundation of China(51272257,51202255,51472249)~~
【分類號】:O613.71;TB383.1
【正文快照】: 1 Introduction A single-w alled carbon nanotube(SWCNT)can be conceptually considered as a cylinder rolled up from a graphene sheet.The geometry structure of a SWCNT is exclusively determined by a pair of chirality indices(n,m)according to the rolling di
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 賈護軍,楊銀堂,朱作云,李躍進;硅基β-SiC薄膜外延生長的溫度依賴關(guān)系研究[J];無機材料學(xué)報;2000年01期
2 孫膺九;硅外延生長設(shè)備的最新進展[J];稀有金屬;1988年01期
3 ;絕緣襯底上外延生長硅[J];上海有色金屬;1978年01期
4 石林;倪軍;;利用外延生長中動力學(xué)各向異性制備有序取向周期轉(zhuǎn)變超晶格的方法[J];物理;2007年02期
5 李曉玲,周本茂;冠醚化合物對乳劑晶體外延生長的調(diào)變作用[J];感光科學(xué)與光化學(xué);1993年04期
6 李美亞,熊光成,王忠烈,范守善,趙清太,林揆訓(xùn);脈沖激光法外延生長錳氧化物薄膜[J];材料研究學(xué)報;1999年06期
7 姜明,江曉平,黃建國,孫曉峰,葛云龍,胡壯麒;激光快速熔凝Fe基、Ni基合金的細化形態(tài)[J];材料科學(xué)進展;1989年03期
8 趙謝群;氯化物SFT法制備InGaAsP處延層[J];稀有金屬;1993年03期
9 陸鳳貞,丁永慶;GaAs氣相選擇外延生長的研究[J];稀有金屬;1982年03期
10 張欣;;光分子層外延生長GaAs單晶[J];稀有金屬;1985年06期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 王躍;宋炳文;介萬奇;周堯和;;碲鎘汞薄膜的外延生長[A];第三屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集[C];1998年
2 吳君華;潘子昂;馮濤;鄒本三;杜學(xué)禮;周嘯;;外延生長聚酞菁硅氧烷晶體的分子像[A];第五次全國電子顯微學(xué)會議論文摘要集[C];1988年
3 蔡衍卿;姚忻;賴亦堅;;鎵酸釹基片上外延生長釔鋇銅氧超導(dǎo)厚膜的a、c軸取向轉(zhuǎn)變機制[A];第14屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年
4 周玉冰;劉忠范;彭海琳;;二維硒化鎵納米結(jié)構(gòu)的外延生長與光電性質(zhì)[A];中國化學(xué)會第29屆學(xué)術(shù)年會摘要集——第33分會:納米材料合成與組裝[C];2014年
5 唐琳;孫麗華;徐春艷;郁峰;周歡;何建華;張榮光;;蛋白質(zhì)晶體外延生長機理研究[A];第四屆中國結(jié)構(gòu)生物學(xué)學(xué)術(shù)討論會論文摘要集[C];2013年
6 李言榮;;BaTiO_3類介電薄膜在GaN上的外延生長和性能研究[A];第七屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集(第7分冊)[C];2010年
7 李長榮;杜振民;盧琳;張維敬;;化合物半導(dǎo)體外延生長:從LPE到MOVPE[A];第十屆全國相圖學(xué)術(shù)會議論文集[C];2000年
8 尚景智;毛明華;方志來;劉寶林;張保平;;與GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生長[A];第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2007年
9 劉志成;孔德金;王仰東;高煥新;;外延生長法合成擇形功能的ZSM-5核殼分子篩[A];第十五屆全國分子篩學(xué)術(shù)大會論文集[C];2009年
10 徐彭壽;劉金鋒;劉忠良;王科范;湯洪高;;SiC薄膜的MBE外延生長及其結(jié)構(gòu)表征[A];第14屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 飄塵;我國LED產(chǎn)值2010將超1000億元[N];中國有色金屬報;2008年
2 清華大學(xué)電子工程系集成光電子學(xué)國家重點實驗室 羅毅 邵嘉平;氮化鎵基高亮度LED核心專利分析[N];中國電子報;2005年
中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 吳真龍;選擇性橫向外延生長半極性面GaN材料及器件光電性質(zhì)研究[D];南京大學(xué);2016年
2 何W,
本文編號:644395
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/644395.html