識(shí)別和解析石墨烯中缺陷的精確原子結(jié)構(gòu)是研究不同類型缺陷的物化特性,實(shí)現(xiàn)石墨烯物性調(diào)控的前提,可以為在原子尺度研究石墨烯缺陷的構(gòu)效關(guān)系提供重要的實(shí)驗(yàn)依據(jù).本文結(jié)合掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)確認(rèn)了在Ir(111)表面生長(zhǎng)的石墨烯中自發(fā)形成的缺陷,以及通過(guò)離子轟擊方法在石墨烯中引入的多種缺陷結(jié)構(gòu),包括單空位缺陷、非六元環(huán)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及石墨烯層下的基底缺陷.

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 石墨烯的生長(zhǎng)
    1.3 測(cè)試與表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 石墨烯中缺陷的產(chǎn)生
    2.2 石墨烯中缺陷結(jié)構(gòu)的確認(rèn)
3 結(jié)論



本文編號(hào)：4036935