低含氘量DKDP晶體生長(zhǎng)和性能研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1(a)?KDP晶體的結(jié)構(gòu)模型;(b)KDP晶體的理想外形;??
屮為穩(wěn)定相,在空氣中為亞穩(wěn)相,放置一定時(shí)間后會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较啵。四方??DKDP晶體具有優(yōu)良的電光性能,諸如線性電光系數(shù)大,半波電壓低,光學(xué)均勻??性優(yōu)良等,理想的宏觀外形是四邊形柱和四方雙錐組成的體塊,如圖1.】所示。??°?}?d?°?^?^?^6?"卜??〇?!?〇?〇?H....
圖1.2傳統(tǒng)降溫法生長(zhǎng)示意圖(].籽晶桿2.KDP晶體3.轉(zhuǎn)動(dòng)密封裝置4.加熱器5.??攪拌器6.溫度控制器7.溫度計(jì)8.育晶器9.水浴裝置)??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??如圖1.2所示,該方法的優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備簡(jiǎn)單;晶體生長(zhǎng)所需要的驅(qū)動(dòng)力(過(guò)飽和??度)的控制條件僅有溫度,易于控制晶體的長(zhǎng)徑比。在傳統(tǒng)降溫法生長(zhǎng)晶體過(guò)程??中,由于晶體生長(zhǎng)的過(guò)飽和度區(qū)間始終處于柱面死區(qū)范圍內(nèi),所以KDP晶體在??生長(zhǎng)過(guò)程中柱面基本不擴(kuò)展,因此,....
圖1.3點(diǎn)籽晶快速生長(zhǎng)示意圖??1.生長(zhǎng)槽2.膠塞3.水浴攪拌器4.加熱器5.溫度控制器6.水浴槽7.育晶架8.??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??如圖1.2所示,該方法的優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備簡(jiǎn)單;晶體生長(zhǎng)所需要的驅(qū)動(dòng)力(過(guò)飽和??度)的控制條件僅有溫度,易于控制晶體的長(zhǎng)徑比。在傳統(tǒng)降溫法生長(zhǎng)晶體過(guò)程??中,由于晶體生長(zhǎng)的過(guò)飽和度區(qū)間始終處于柱面死區(qū)范圍內(nèi),所以KDP晶體在??生長(zhǎng)過(guò)程中柱面基本不擴(kuò)展,因此,....
圖1.3美國(guó)國(guó)家點(diǎn)火裝置(NIF原理圖)??
在靶丸中心處產(chǎn)生髙溫等離子體[|5],由于自身的慣性作用,它們還未擴(kuò)散就??被由于激光或等離子束產(chǎn)生的球形爆聚產(chǎn)生的巨大壓力壓縮到高溫高密度的狀??態(tài),在此狀態(tài)下,這些氚氘燃料就發(fā)生了核聚變反應(yīng),如圖1.2所示,慣性約束??核聚變技術(shù)是當(dāng)前最有可能實(shí)現(xiàn)可控核聚變反應(yīng)的技術(shù)[16]....
本文編號(hào):3908350
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