新型共軛聚合物的設(shè)計、合成及在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用
發(fā)布時間:2024-01-30 09:51
相比與傳統(tǒng)的無機半導(dǎo)體材料,新型的有機半導(dǎo)體材料,特別是聚合物半導(dǎo)體材料具有成膜性好,柔韌性好,價格低廉,質(zhì)量輕等優(yōu)勢,因此被認為是實現(xiàn)制備大面積柔性器件的一類優(yōu)良材料,具有廣泛的應(yīng)用前景。然而目前高性能聚合物場效應(yīng)晶體管材料并不多見,阻礙了它的進一步發(fā)展和應(yīng)用;诖,本論文通過設(shè)計新穎的缺電子受體單元,以及開發(fā)新型分子構(gòu)型和封端基團引入的策略,來提高其場效應(yīng)晶體管性能。同時,深入研究聚合物材料的結(jié)構(gòu)與其性能之間關(guān)系,為設(shè)計具有高遷移率的聚合物場效應(yīng)晶體管材料提供了新的思路。此外,聚合物場效應(yīng)晶體管的光驅(qū)動應(yīng)用方面也做了一些探索工作。本論文的主要研究內(nèi)容如下:第二章設(shè)計合成新的缺電子受體單元對提高聚合物半導(dǎo)體材料在有機場效應(yīng)晶體管中的性能研究具有重要的意義。鑒于目前比較強的缺電子受體單元的匱乏,我們合成了新的異靛藍類缺電子受體單元IVI和F4IVI,然后將受體單元IVI和F4IVI分別與聯(lián)二噻吩進行聚合得到新型聚合物半導(dǎo)體材料PIVI2T和PF4IVI2T,由于IVI和F4IVI具有較強的拉電子能...
【文章頁數(shù)】:138 頁
【學(xué)位級別】:博士
本文編號:3889923
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圖1.1有機半導(dǎo)體材料的三個主要應(yīng)用領(lǐng)域Fig.1.1Threemainapplicationsoforganicsemiconductormaterials
圖1.2不同結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管示意圖:(a)底柵底接觸;山)底柵頂接觸;回頂柵底接觸;(d)頂柵頂接觸
圖1.3(a)PDPP5T的輸出特性曲線;(b)PDPP5T的轉(zhuǎn)移特性曲線
圖1.4聚噻吩類聚合物場效應(yīng)晶體管材料Fig.1.4field-effecttransistorsmaterialsofpolythiophene的問題,最后聚合物材料的遷移率能達到0.14cm2V1s1,而且將器件無保護在暗處放置一段時間,器件的性能也沒有特別大的影響
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