在BNU400注入機(jī)上搭建的離子激發(fā)發(fā)光(ion beam induced luminescence,IBIL)測(cè)量裝置上,開展了相同能量(100 keV)條件下的3種離子(H⁺、He⁺以及O⁺)輻照氟化鋰材料時(shí)的IBIL光譜的原位測(cè)量工作,對(duì)比研究離子種類對(duì)氟化鋰材料輻照缺陷的生成及其演變行為的影響.結(jié)合SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)模擬的結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn)He⁺輻照時(shí)的IBIL光譜強(qiáng)度最高,這是由于He⁺激發(fā)產(chǎn)生的電子空穴對(duì)密度高于H⁺,而O⁺輻照時(shí)由于激發(fā)出的電子空穴對(duì)密度過高引起的非輻射復(fù)合比例增加,從而導(dǎo)致發(fā)光效率過低;質(zhì)量數(shù)越大的離子輻照時(shí),核阻止本領(lǐng)越大,會(huì)加快缺陷的生成和湮滅速率,降低達(dá)到平衡狀態(tài)時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度.近紅外波段的F₃^-/F₂⁺色心發(fā)光峰強(qiáng)度及其演變行為表明其耐輻照性能好于可...

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