在BNU400注入機(jī)上搭建的離子激發(fā)發(fā)光(ion beam induced luminescence,IBIL)測量裝置上,開展了相同能量(100 keV)條件下的3種離子(H⁺、He⁺以及O⁺)輻照氟化鋰材料時的IBIL光譜的原位測量工作,對比研究離子種類對氟化鋰材料輻照缺陷的生成及其演變行為的影響.結(jié)合SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)模擬的結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn)He⁺輻照時的IBIL光譜強(qiáng)度最高,這是由于He⁺激發(fā)產(chǎn)生的電子空穴對密度高于H⁺,而O⁺輻照時由于激發(fā)出的電子空穴對密度過高引起的非輻射復(fù)合比例增加,從而導(dǎo)致發(fā)光效率過低;質(zhì)量數(shù)越大的離子輻照時,核阻止本領(lǐng)越大,會加快缺陷的生成和湮滅速率,降低達(dá)到平衡狀態(tài)時的發(fā)光強(qiáng)度.近紅外波段的F₃^-/F₂⁺色心發(fā)光峰強(qiáng)度及其演變行為表明其耐輻照性能好于可...

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