為了揭示初始空位濃度對(duì)低溫退火的硅晶圓內(nèi)V-O₂對(duì)演變的影響,基于所建相場(chǎng)模型及其應(yīng)用程序,對(duì)隨機(jī)均勻分布的3個(gè)初始空位濃度條件下硅晶圓內(nèi)V-O₂對(duì)演變進(jìn)行了模擬研究.結(jié)果表明:隨著初始空位濃度平均值的減小,V-O₂對(duì)數(shù)量相應(yīng)減少且變化速率減慢,這與相應(yīng)的空位濃度演變及其均勻化過(guò)程有關(guān);初始空位濃度平均值過(guò)低時(shí),V-O₂對(duì)不能產(chǎn)生.

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【文章目錄】：
1 仿真模型
2 幾何模型和模擬條件
3 模擬結(jié)果分析
    3.1 空位濃度演變
    3.2 V-O2對(duì)演變
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3797322