基于二維材料高效可見光催化劑的結構設計、構建及構性關系
發(fā)布時間:2022-01-07 18:22
半導體光催化作為一種新興技術,在清潔能源開發(fā)利用和環(huán)境治理方面已經(jīng)受到研究者們的廣泛關注。在這種―綠色‖化學變化過程中,半導體光催化劑吸收太陽光激發(fā)產(chǎn)生活性電荷載流子,而后具有強氧化還原性的電荷載流子裂解水分子產(chǎn)生氫氣或者分解環(huán)境污染物。同時半導體光催化劑能夠保持自身結構及性質的穩(wěn)定。然而目前大規(guī)模實際應用光催化技術的最大阻礙在于催化劑的可見光利用率低、電荷復合速率快、吸附性能差和分離困難。因此,尋找高效、高穩(wěn)定性且可大規(guī)模制備的可見光催化劑成為當前研究的一個重要任務。本文基于二維納米片構建了零維(0D)球形疊層、一維(1D)納米管、二維(2D)多孔和三維(3D)三明治結構的高效可見光催化劑,從催化劑構性關系角度做了以下研究:一、通過在球形模板表面交替原位生長聚苯胺(PANI)和靜電自組裝鈦氧化物(Ti0.91O2)納米片,制備了0D疊層PANI/Ti0.91O2球形復合物。定向形成疊層結構的主要原因是Ti0.91O2納米片(帶負電荷)和PANI(帶正電)...
【文章來源】:重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:116 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
常見半導體的能級間隙、導帶和價帶能級位置相對于標準氫電極的示意圖
應機理體的能級間隙、導帶和價帶能級位置相對于標準氫電極ps and band-edge positions with respect to NHE for some semjishima 和 Honda 首次發(fā)現(xiàn) TiO2在紫外光照射下光化理論已經(jīng)取得了重大發(fā)展。目前,人們主要采[8]。對于半導體,它們的能帶分為充滿電子的價帶鄰兩能帶之間的空隙稱為禁帶,其大小記為能級間半導體的能級間隙、導帶和價帶能級位置如圖 1.1
圖 1.3 光催化反應(a)實驗室簡易裝置,(b)圓柱形反應器示意圖。Fig. 1.3 Schematic view of photocatalytic (a) experimental simple apparatus, (b) cylindrical reactor.作為一種新興的環(huán)境污染處理技術,半導體光催化與傳統(tǒng)治理技術相比具有以下優(yōu)點[19-21]:①半導體光催化是將太陽能轉化為化學能,通過化學氧化將有機污染物直接礦化分解為二氧化碳、水以及無毒害的無機酸。而傳統(tǒng)物理處理方法中的相轉移法(吸附法)和篩濾截留法(膜分離技術)只是通過物理作用將污染物富集并轉移,還需要進一步處理(如焚化、填埋),無法實現(xiàn)污染物的徹底降解,易造成二次污染。②半導體光催化是一種室溫深度氧化技術,無需高溫、高壓,能耗低。在環(huán)境溫度下即可將有機物完全分解,無二次污染,且反應裝置簡單(如圖 1.2)。而傳統(tǒng)的高溫焚燒法,設備復雜且耗能大,成本較高,并且存在燃燒不完全生成有毒有害廢氣物的缺點。③半導體光催化反應速度快,效率高,且無選擇性,能夠處理大部分的有機、
本文編號:3575034
【文章來源】:重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:116 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
常見半導體的能級間隙、導帶和價帶能級位置相對于標準氫電極的示意圖
應機理體的能級間隙、導帶和價帶能級位置相對于標準氫電極ps and band-edge positions with respect to NHE for some semjishima 和 Honda 首次發(fā)現(xiàn) TiO2在紫外光照射下光化理論已經(jīng)取得了重大發(fā)展。目前,人們主要采[8]。對于半導體,它們的能帶分為充滿電子的價帶鄰兩能帶之間的空隙稱為禁帶,其大小記為能級間半導體的能級間隙、導帶和價帶能級位置如圖 1.1
圖 1.3 光催化反應(a)實驗室簡易裝置,(b)圓柱形反應器示意圖。Fig. 1.3 Schematic view of photocatalytic (a) experimental simple apparatus, (b) cylindrical reactor.作為一種新興的環(huán)境污染處理技術,半導體光催化與傳統(tǒng)治理技術相比具有以下優(yōu)點[19-21]:①半導體光催化是將太陽能轉化為化學能,通過化學氧化將有機污染物直接礦化分解為二氧化碳、水以及無毒害的無機酸。而傳統(tǒng)物理處理方法中的相轉移法(吸附法)和篩濾截留法(膜分離技術)只是通過物理作用將污染物富集并轉移,還需要進一步處理(如焚化、填埋),無法實現(xiàn)污染物的徹底降解,易造成二次污染。②半導體光催化是一種室溫深度氧化技術,無需高溫、高壓,能耗低。在環(huán)境溫度下即可將有機物完全分解,無二次污染,且反應裝置簡單(如圖 1.2)。而傳統(tǒng)的高溫焚燒法,設備復雜且耗能大,成本較高,并且存在燃燒不完全生成有毒有害廢氣物的缺點。③半導體光催化反應速度快,效率高,且無選擇性,能夠處理大部分的有機、
本文編號:3575034
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3575034.html
教材專著