作為全無機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦材料的典型代表,溴鉛銫（CsPbBr₃）因其具有較高的載流子遷移率壽命積和較大的擴(kuò)散長度,近年來在光電應(yīng)用上備受關(guān)注。CsPbBr₃不僅具有可類比有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的光電性能和應(yīng)用領(lǐng)域,而且比后者具有更高的穩(wěn)定性。但是目前關(guān)于CsPbBr₃的研究大多集中在薄膜態(tài)及納米態(tài),其光電性能未能得到充分利用,而CsPbBr₃單晶的光電性能更加優(yōu)異。本文圍繞CsPbBr₃粉體制備、CsPbBr₃單晶生長、CsPbBr₃本征缺陷分析及其光電探測器件的制備和性能表征展開研究,主要內(nèi)容分為四個部分:首先研究了CsPbBr₃粉體的制備,并表征了合成粉體的基本物理性能。通過對合成粉體的物相、元素比例、顆粒大小的表征得到了化學(xué)共沉淀法和高溫固相法合成CsPbBr₃粉體的合適工藝條件。通過對CsPbBr₃粉體的基本物理性能的表征得到:熔點和凝固點分別為567oC和55... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：155 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

半導(dǎo)體材料中“降維理論”衍變示意圖

圖1-2 ABX3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖（a）正八面體結(jié)構(gòu)（b）正八面體孔隙一般采用容忍因子t（tolerance factor）和八面體因子μ（octahedral factor）[106]來表征鈣鈦礦型晶格結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和畸變程度，t和μ可以用公式（1-4）~（1-5）表示：（1-4） BXAXRRRRt 2

圖1-3 ABX3型鈣鈦礦在不同物相的相變結(jié)構(gòu)示意圖是一種具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的材料，據(jù)M ller C. K.[51]報道，相結(jié)構(gòu)，其晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1-3所示。表1-3 CsPbBr3在不同溫度下晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]穩(wěn)定的無機(jī)鹵化鉛銫納米線鈣鈦礦電池（英文）[J]. 廖金鳳,李文廣,饒華商,陳白雪,王旭東,陳洪燕,匡代彬.  Science China Materials. 2017(04)

博士論文
[1]CdZnTe晶體中的深能級缺陷及其對光電性能的影響[D]. 徐凌燕.西北工業(yè)大學(xué) 2014
[2]碲鋅鎘像素核輻射探測器原理及實驗特性研究[D]. 王璽.重慶大學(xué) 2013
[3]室溫核輻射探測器用T1Br材料的制備與改性研究[D]. 余石金.華中科技大學(xué) 2009
[4]CdZnTe單晶表面、界面及位錯的研究[D]. 查鋼強(qiáng).西北工業(yè)大學(xué) 2007



本文編號：3567541