SrI₂:Eu晶體具有杰出的閃爍性能,如極高的光輸出（120,000 ph/MeV）和優(yōu)異的能量分辨率（2.6%）,有望替代商用的NaI:Tl和CsI:Tl晶體成為新一代閃爍晶體。但該晶體存在較為嚴(yán)重的問題—自吸收,即當(dāng)晶體尺寸增加時(shí),其閃爍性能出現(xiàn)明顯下降的趨勢,因此,該晶體仍無法滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。所以解決SrI₂:Eu晶體的自吸收現(xiàn)象一直是國內(nèi)外科研工作者的研究重點(diǎn)和熱點(diǎn)。國外學(xué)者嘗試通過對SrI₂:Eu進(jìn)行陽離子共摻雜的方式改善上述的晶體缺陷,結(jié)果發(fā)現(xiàn)經(jīng)過Cs⁺共摻后的SrI₂:Eu閃爍晶體的性能提高最顯著。遺憾的是,當(dāng)時(shí)所制備的樣品體積較�。é�10 mm′6 mm）滿足不了實(shí)用要求并且后續(xù)沒有進(jìn)一步的研究報(bào)道,國內(nèi)目前對SrI₂:Eu共摻雜的研究尚處于空白階段。本論文主要針對共摻Cs⁺的SrI₂:Eu閃爍單晶的制備工藝及其閃爍性能展開研究,主要包括以下兩個(gè)方面:1、利用坩堝下降法成功制備出直徑1英寸的S... 

【文章來源】：中國計(jì)量大學(xué)浙江省

【文章頁數(shù)】：47 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 常見的鹵化物閃爍晶體
    1.3 晶體生長方法
        1.3.1 提拉法
        1.3.2 坩堝下降法
        1.3.3 H-VB法
    1.4 摻銪碘化鍶閃爍晶體
        1.4.1 SrI_2的基本性質(zhì)
        1.4.2 SrI_2:Eu研究進(jìn)展
        1.4.3 關(guān)于陽離子共摻SrI_2:Eu的研究現(xiàn)狀
    1.5 論文選題依據(jù)與研究內(nèi)容
        1.5.1 選題依據(jù)
        1.5.2 研究內(nèi)容
2 閃爍晶體制備
    2.1 原料及實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹
    2.2 SrI_2:Eu:Cs單晶生長
        2.2.1 坩堝清洗
        2.2.2 原料填裝
        2.2.3 抽真空封管
        2.2.4 晶體生長
    2.3 影響晶體生長的因素
        2.3.1 原料的組分
        2.3.2 溫場
        2.3.3 下降速率
        2.3.4 意外情況
    2.4 SrI_2:Eu:Cs晶體加工
        2.4.1 晶體切割
        2.4.2 研磨拋光
    2.5 SrI_2:Eu:Cs晶體封裝
    2.6 本章小結(jié)
3 閃爍性能測試方法
    3.1 XRD測試
    3.2 熒光光譜與熒光壽命測試
    3.3 X射線激發(fā)發(fā)射測試
    3.4 脈沖高度譜測試
4 晶體性能表征
    4.1 X射線衍射分析
    4.2 熒光光譜與熒光壽命
    4.3 X射線激發(fā)發(fā)射光譜
    4.4 光輸出與能量分辨率
    4.5 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
    5.1 結(jié)論
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者簡歷


【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3555999