超順排碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源在射頻離子微推進(jìn)中和器中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-08-18 17:10
本文報(bào)告了采用超順排碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源實(shí)現(xiàn)射頻離子微推進(jìn)器離子束流中和控制的研究工作。所報(bào)道的超順排碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源可以在400~500 V的電壓下輸出約數(shù)毫安的電子流,可以滿足推進(jìn)器的中和任務(wù)要求,在軌性能良好。具有發(fā)射電壓低,發(fā)射電流大,工作穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)。
【文章來源】:真空電子技術(shù). 2020,(04)
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
超順排碳納米管電子發(fā)射體及中和器
老化壽命測(cè)試
根據(jù)星上測(cè)量數(shù)據(jù),可以對(duì)中和器的在軌工作的性能進(jìn)行評(píng)估。兩個(gè)中和器的發(fā)射特性曲線如圖4(a) 和(b)所示,表現(xiàn)了較好的參數(shù)一致性,同時(shí)還研究了不同時(shí)間測(cè)量時(shí)中和器的性能。圖4(c)和(d)展示了中和器1兩次不同測(cè)試的I-V和Fowler-Nordheim (F-N)曲線,曲線表現(xiàn)了良好的一致性。需要注意的是當(dāng)對(duì)中和器進(jìn)行性能測(cè)試時(shí),電壓上升階段和電壓下降階段的曲線并不重合,相同發(fā)射電流情況下,電壓上升階段比電壓下降階段的發(fā)射電壓更低,在多次測(cè)量中都呈現(xiàn)了這種現(xiàn)象。推測(cè)這可能反映了在軌狀態(tài)下仍然存在一定的吸附脫附現(xiàn)象,吸附狀態(tài)的逸出功略小于脫附狀態(tài)。根據(jù)軌道參數(shù)可以估計(jì)出所處的氣體壓強(qiáng)約為10-6 Pa,這一真空度下仍然難以實(shí)現(xiàn)完全脫附。圖4(d)擬合了電壓上升和電壓下降過程的F-N曲線斜率。若假設(shè)兩種過程中碳納米管場(chǎng)發(fā)射尖端狀態(tài)保持穩(wěn)定,可以給出吸附狀態(tài)的功函數(shù)約為脫附狀態(tài)的2/3。圖4 碳納米管陰極中和器在軌性能
本文編號(hào):3350289
【文章來源】:真空電子技術(shù). 2020,(04)
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
超順排碳納米管電子發(fā)射體及中和器
老化壽命測(cè)試
根據(jù)星上測(cè)量數(shù)據(jù),可以對(duì)中和器的在軌工作的性能進(jìn)行評(píng)估。兩個(gè)中和器的發(fā)射特性曲線如圖4(a) 和(b)所示,表現(xiàn)了較好的參數(shù)一致性,同時(shí)還研究了不同時(shí)間測(cè)量時(shí)中和器的性能。圖4(c)和(d)展示了中和器1兩次不同測(cè)試的I-V和Fowler-Nordheim (F-N)曲線,曲線表現(xiàn)了良好的一致性。需要注意的是當(dāng)對(duì)中和器進(jìn)行性能測(cè)試時(shí),電壓上升階段和電壓下降階段的曲線并不重合,相同發(fā)射電流情況下,電壓上升階段比電壓下降階段的發(fā)射電壓更低,在多次測(cè)量中都呈現(xiàn)了這種現(xiàn)象。推測(cè)這可能反映了在軌狀態(tài)下仍然存在一定的吸附脫附現(xiàn)象,吸附狀態(tài)的逸出功略小于脫附狀態(tài)。根據(jù)軌道參數(shù)可以估計(jì)出所處的氣體壓強(qiáng)約為10-6 Pa,這一真空度下仍然難以實(shí)現(xiàn)完全脫附。圖4(d)擬合了電壓上升和電壓下降過程的F-N曲線斜率。若假設(shè)兩種過程中碳納米管場(chǎng)發(fā)射尖端狀態(tài)保持穩(wěn)定,可以給出吸附狀態(tài)的功函數(shù)約為脫附狀態(tài)的2/3。圖4 碳納米管陰極中和器在軌性能
本文編號(hào):3350289
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