目前商業(yè)的SiC單晶主要是利用物理氣相輸運(yùn)法（PVT）進(jìn)行制備,但是它在SiC單晶制備過程中所形成的微管和位錯(cuò),會(huì)使器件的性能受限。另外一種方法是溶液生長(zhǎng)法,在溶液生長(zhǎng)法中由于生長(zhǎng)界面處于熱力學(xué)平衡狀態(tài),所以可以獲得無微管、低位錯(cuò)高質(zhì)量的大塊狀SiC單晶。但是利用溶液法進(jìn)行大塊狀SiC單晶生長(zhǎng)的研究較少,原因是SiC單晶在傳統(tǒng)溶液法中生長(zhǎng)速度較低,使制備大塊狀SiC單晶受限。由于往Si中加入Fe能提高C的溶解度,從而提高SiC單晶的生長(zhǎng)速度,所以本論文采用Fe作為助熔劑,同時(shí)利用頂端籽晶溶液法、緩冷法和頂端籽晶提拉法三種液相外延生長(zhǎng)方法,以石墨坩堝為容器和碳源,4H-SiC單晶為襯底制備SiC單晶。利用SEM﹑Raman﹑UV、AFM和EPMA等表征手段對(duì)制備的SiC單晶的生長(zhǎng)層厚度﹑晶型﹑表面形貌和晶體質(zhì)量等特征進(jìn)行研究,優(yōu)化了制備參數(shù),得到了SiC單晶體,主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下:1、確定了Fe-Si中對(duì)4H-SiC晶體生長(zhǎng)的最佳溶劑組分:利用Fe-xmol%Si作為溶劑,x分別是30、36、40、50、60、70和80,在1500℃的電阻爐里石墨坩堝中進(jìn)行實(shí)驗(yàn),得到C的溶解度。利用... 

【文章來源】：云南大學(xué)云南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：100 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

Si-C二元相圖

SiC的Si/C四面體結(jié)構(gòu)示意圖

H-、3C-、4H-、6H-和15R-SiC的晶體結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SiC半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 楊東杰,李麗麗.  材料開發(fā)與應(yīng)用. 2015(03)



本文編號(hào)：3306166