鈦酸鹽基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備及光催化性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-07-20 06:42
現(xiàn)如今水體污染和能源短缺已經(jīng)成為世界性難題,尋找有效的、可持續(xù)發(fā)展的綠色途徑已成為重中之重。在眾多可行辦法中,光催化半導(dǎo)體材料降解與制氫,以其獨(dú)有的優(yōu)勢進(jìn)入研究者的視野,并受到科學(xué)界廣泛關(guān)注。大多數(shù)半導(dǎo)體材料在太陽光下,可以通過本征光電性能進(jìn)行光催化降解,有效治理水體污染,此外,還有部分具有適合能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料,可以直接在光照下通過光催化分解水產(chǎn)氫。眾所周知,氫能是一種無污染、高燃燒能的新型能源,可替代傳統(tǒng)化石燃料,其在高效供能的同時(shí),還可有效緩解環(huán)境污染。因此,半導(dǎo)體材料光催化降解和制氫已經(jīng)成為解決水體污染和能源短缺的不二之選。在眾多半導(dǎo)體材料中,鈦酸鹽類半導(dǎo)體材料,由于具備適宜的導(dǎo)帶與價(jià)帶位置(負(fù)于H+到H2的還原電位的導(dǎo)帶,正于H2O到O2的氧化電位的價(jià)帶)以及較高的穩(wěn)定性,近年來被廣泛應(yīng)用于光催化領(lǐng)域,包括鈦酸錳(MnTiO3)、鈦酸鈣(CaTiO3)和鈦酸鍶(SrTiO3)。然而受限于上述材料的本征特性,即寬帶隙限制了可見光利用率,高電子-空穴復(fù)合率限制了光生載流子效率,導(dǎo)致其光催化性能不能被完全開發(fā)利用,因此,如何改善半導(dǎo)體材料對于可見光的吸收以及提高其光生電子的遷移速...
【文章來源】:浙江理工大學(xué)浙江省
【文章頁數(shù)】:98 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)示意圖
浙江理工大學(xué)碩士學(xué)位論文?鈦酸鹽基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備及光催化性能研宄??-1?1?M??一?0?廣--p?-「?產(chǎn)——?T——H+/H2??>?r ̄?>??土-?廠廠?S??5???>?h??z?1-?m?>??1?^?^?^?°?^??I?2'?〇??■?L?—?1-r?—?U??3.?P?°°E°Lk:-s-d'??-?^?8?z?£?〇?2?2?t??L_?>5?c?^????〇?3?5?5??4」?S??圖1.2基本的鈦酸鹽鈣鈦礦帶隙和帶邊緣對于水分解的氧化還原電位。轉(zhuǎn)載自Ref。P7|??Fig.?1.2?Basic?calcium?titanate?perovskite?band?gap?and?band?edge?oxidation-reduction??potential?for?water?decomposition.?Reproduced?from?Ref.?[37)??1.3.1.1鈦酸錳??鈦酸錳存在于自然界的紅鈦錳礦(Mn0_Ti02)中,屬于六方晶系,密度為??4.84g/mL,熔點(diǎn)(固液異成分)為1390°C。MnTi03具有良好的熱穩(wěn)定性、濕度敏??感性、鐵磁性能和光電性能,廣泛用于制作濕度傳感器、陶瓷材料、電磁材料以??及介電材料等[38,39]。除此之外,?^。保必埃尘哂屑s為3.1eV的帶隙,對紫外-可見光??具有較好的吸收性,可以作為理想的光催化劑,用于降解水中的污染物[4()]。??1_3丄2鈦酸鈣??鈦酸鈣為黃色晶體,難溶于水。室溫下,密度為3.98g/mL,熔點(diǎn)為1980°C。??屬于立方晶系,鈦離子與六個(gè)氧離子形成
士學(xué)位論文?鈦酸鹽基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備及光催化性能研究??[91,92],即跨越帶隙(類型I),交錯(cuò)帶隙(類型II)和斷裂帶隙(類型III),如??圖所示[91]。??(a>?廣、?(b)?^?(c)?Reaucy??CB?Q?6?O?'?CBI'?0?0?0^?\??jM??T?CMWV?V?、?Photootalyslll??丨?vekSd??Oxidatioo?m??Photocatalyst?I??TVPel?TyPe?11?Type?III??圖1.4半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的不同類型示意圖。轉(zhuǎn)載自Ref。丨91]??Fig.?1.4?Schematic?diagram?of?different?types?of?semiconductor?heterojunctions.??Reproduced?from?Ref.?[91]??對于跨越帶隙,具有較窄帶隙的光催化劑的VB和CB被限制在具有較寬帶??隙的光催化劑內(nèi)。當(dāng)照射的光子能量超過一定值時(shí),光生電子-空穴對的電子發(fā)??生躍遷,由于帶隙邊緣位置導(dǎo)致混合結(jié)構(gòu)內(nèi)所有電荷載流子在單個(gè)組分內(nèi)傳遞和??累積。對于交錯(cuò)帶隙,帶邊在第一光催化劑和第二光催化劑之間交錯(cuò)[93]。由于??兩個(gè)半導(dǎo)體之間化學(xué)勢的差異,形成了向上或向下的帶彎曲,從而導(dǎo)致電荷載流??子沿相反方向轉(zhuǎn)移。該過程可以改善電子-空穴在異質(zhì)結(jié)的各個(gè)部分上的分離,??以減緩電荷重組,延長光生電子-空穴對的壽命[941。III型(斷裂帶隙)異質(zhì)結(jié)的??結(jié)構(gòu)特征是第二光催化劑的VB和CB邊緣位于第一光催化劑的CB電位之上且??不相互交叉[95];谏鲜鼋Y(jié)構(gòu),近期,一種新型的類似于交錯(cuò)間隙(類型II)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]化學(xué)鍍法制備CoP量子點(diǎn)修飾g-C3N4用于光催化產(chǎn)氫(英文)[J]. 戚克振,呂文秀,Iltaf Khan,劉書源. Chinese Journal of Catalysis. 2020(01)
[2]Co(Ⅱ)-空穴和Pt-電子助催化劑協(xié)同作用增強(qiáng)P摻雜g-C3N4光催化產(chǎn)氫性能(英文)[J]. 孫扣華,沈珺,劉芹芹,唐華,張明義,Syed Zulfiqar,雷春生. Chinese Journal of Catalysis. 2020(01)
[3]納米鈦酸鋇微粉的制備[J]. 趙培峰,孫樂民. 材料開發(fā)與應(yīng)用. 2003(01)
[4]PbTiO3納米粉的制備及光催化研究[J]. 張志蘭,戴潔,卞國慶. 化學(xué)研究與應(yīng)用. 2000(05)
本文編號(hào):3292345
【文章來源】:浙江理工大學(xué)浙江省
【文章頁數(shù)】:98 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)示意圖
浙江理工大學(xué)碩士學(xué)位論文?鈦酸鹽基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備及光催化性能研宄??-1?1?M??一?0?廣--p?-「?產(chǎn)——?T——H+/H2??>?r ̄?>??土-?廠廠?S??5???>?h??z?1-?m?>??1?^?^?^?°?^??I?2'?〇??■?L?—?1-r?—?U??3.?P?°°E°Lk:-s-d'??-?^?8?z?£?〇?2?2?t??L_?>5?c?^????〇?3?5?5??4」?S??圖1.2基本的鈦酸鹽鈣鈦礦帶隙和帶邊緣對于水分解的氧化還原電位。轉(zhuǎn)載自Ref。P7|??Fig.?1.2?Basic?calcium?titanate?perovskite?band?gap?and?band?edge?oxidation-reduction??potential?for?water?decomposition.?Reproduced?from?Ref.?[37)??1.3.1.1鈦酸錳??鈦酸錳存在于自然界的紅鈦錳礦(Mn0_Ti02)中,屬于六方晶系,密度為??4.84g/mL,熔點(diǎn)(固液異成分)為1390°C。MnTi03具有良好的熱穩(wěn)定性、濕度敏??感性、鐵磁性能和光電性能,廣泛用于制作濕度傳感器、陶瓷材料、電磁材料以??及介電材料等[38,39]。除此之外,?^。保必埃尘哂屑s為3.1eV的帶隙,對紫外-可見光??具有較好的吸收性,可以作為理想的光催化劑,用于降解水中的污染物[4()]。??1_3丄2鈦酸鈣??鈦酸鈣為黃色晶體,難溶于水。室溫下,密度為3.98g/mL,熔點(diǎn)為1980°C。??屬于立方晶系,鈦離子與六個(gè)氧離子形成
士學(xué)位論文?鈦酸鹽基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備及光催化性能研究??[91,92],即跨越帶隙(類型I),交錯(cuò)帶隙(類型II)和斷裂帶隙(類型III),如??圖所示[91]。??(a>?廣、?(b)?^?(c)?Reaucy??CB?Q?6?O?'?CBI'?0?0?0^?\??jM??T?CMWV?V?、?Photootalyslll??丨?vekSd??Oxidatioo?m??Photocatalyst?I??TVPel?TyPe?11?Type?III??圖1.4半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的不同類型示意圖。轉(zhuǎn)載自Ref。丨91]??Fig.?1.4?Schematic?diagram?of?different?types?of?semiconductor?heterojunctions.??Reproduced?from?Ref.?[91]??對于跨越帶隙,具有較窄帶隙的光催化劑的VB和CB被限制在具有較寬帶??隙的光催化劑內(nèi)。當(dāng)照射的光子能量超過一定值時(shí),光生電子-空穴對的電子發(fā)??生躍遷,由于帶隙邊緣位置導(dǎo)致混合結(jié)構(gòu)內(nèi)所有電荷載流子在單個(gè)組分內(nèi)傳遞和??累積。對于交錯(cuò)帶隙,帶邊在第一光催化劑和第二光催化劑之間交錯(cuò)[93]。由于??兩個(gè)半導(dǎo)體之間化學(xué)勢的差異,形成了向上或向下的帶彎曲,從而導(dǎo)致電荷載流??子沿相反方向轉(zhuǎn)移。該過程可以改善電子-空穴在異質(zhì)結(jié)的各個(gè)部分上的分離,??以減緩電荷重組,延長光生電子-空穴對的壽命[941。III型(斷裂帶隙)異質(zhì)結(jié)的??結(jié)構(gòu)特征是第二光催化劑的VB和CB邊緣位于第一光催化劑的CB電位之上且??不相互交叉[95];谏鲜鼋Y(jié)構(gòu),近期,一種新型的類似于交錯(cuò)間隙(類型II)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]化學(xué)鍍法制備CoP量子點(diǎn)修飾g-C3N4用于光催化產(chǎn)氫(英文)[J]. 戚克振,呂文秀,Iltaf Khan,劉書源. Chinese Journal of Catalysis. 2020(01)
[2]Co(Ⅱ)-空穴和Pt-電子助催化劑協(xié)同作用增強(qiáng)P摻雜g-C3N4光催化產(chǎn)氫性能(英文)[J]. 孫扣華,沈珺,劉芹芹,唐華,張明義,Syed Zulfiqar,雷春生. Chinese Journal of Catalysis. 2020(01)
[3]納米鈦酸鋇微粉的制備[J]. 趙培峰,孫樂民. 材料開發(fā)與應(yīng)用. 2003(01)
[4]PbTiO3納米粉的制備及光催化研究[J]. 張志蘭,戴潔,卞國慶. 化學(xué)研究與應(yīng)用. 2000(05)
本文編號(hào):3292345
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