光催化技術(shù)被認(rèn)為是解決能源危機(jī)和環(huán)境污染兩大議題的有效途徑。作為一種新型的光催化材料,BiOBr半導(dǎo)體帶隙（².7 eV）適中,能夠吸收部分可見光,其特殊的層狀結(jié)構(gòu)可有效提升電子/空穴對的分離效率。然而,純相BiOBr材料與最適合的帶隙值（1.5 eV）仍有差距,且電子/空穴對的復(fù)合速率較高,這極大地限制了BiOBr材料的光催化應(yīng)用。在本論文中,提出采用硫化物（SnIn₄S₈,NiS和ZnIn₂S₄）作為助催化劑,通過兩步水熱法構(gòu)筑硫化物/BiOBr異質(zhì)結(jié),利用能帶結(jié)構(gòu)重排改善BiOBr光譜吸收,利用導(dǎo)電性好的硫化物改善BiOBr材料載流子傳輸性能,利用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)改善電子/空穴對的分離效率,最終獲得高光催化性能BiOBr材料。具體研究內(nèi)容如下:（1）SnIn₄S₈/BiOBr雜化材料的制備及其光催化性能的研究。本章采用兩步水熱法成功制備SnIn₄S₈/BiOBr雜化材料,詳細(xì)研究SnIn

【文章來源】：中國礦業(yè)大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
abstract
1 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 半導(dǎo)體光催化
    1.3 半導(dǎo)體改性
    1.4 本文的研究目標(biāo)和研究內(nèi)容
2 研究方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)原材料及試劑
    2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
    2.3 材料制備
    2.4 表征方法
    2.5 光催化性能測試
4S₈/BiOBr雜化納米材料的制備及光催化性能研究">3 SnIn₄S₈/BiOBr雜化納米材料的制備及光催化性能研究
    3.1 引言
    3.2 結(jié)果與討論
    3.3 本章小結(jié)
4 NiS/BiOBr雜化納米材料的制備及光催化性能研究
    4.1 引言
    4.2 結(jié)果與討論
    4.3 本章小結(jié)
2S₄/BiOBr雜化納米材料的制備及光催化性能研究">5 ZnIn₂S₄/BiOBr雜化納米材料的制備及光催化性能研究
    5.1 引言
    5.2 結(jié)果與討論
    5.3 本章小結(jié)
6 總結(jié)
    6.1 總結(jié)
    6.2 下一步工作
參考文獻(xiàn)
作者簡歷
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]三元NiS/CQDs/ZnIn2S4 光催化體系的合理設(shè)計(jì)及其產(chǎn)氫性能（英文）[J]. 王冰清,丁瑤,鄧子榕,李朝暉.  催化學(xué)報(bào). 2019(03)



本文編號：3163302