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二硫化鉬—石墨烯異質結的制備與研究

發(fā)布時間:2017-04-17 08:02

  本文關鍵詞:二硫化鉬—石墨烯異質結的制備與研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:石墨烯是單層六角元胞碳原子組成的蜂窩狀二維晶體材料。石墨烯作為后硅時代的一種神奇材料,具有非凡的光學、熱學、機械力學等特性,尤其是在室溫下電子遷移率高,導電性能優(yōu)異,使它成為可以應用在電子、傳感器、催化、能源儲存等方面的未來有潛力的新一代材料。過渡族金屬硫化物中的二硫化鉬(MoS2)具有類石墨烯結構,它不但具有良好的電子、光學、催化特性,單層的MoS2是薄而透明的。MoS2從塊狀到納米層狀,它從間接帶隙轉變到直接帶隙,能輔助石墨烯在半導體電子領域得到更廣泛的應用。 目前納米器件的研究是熱點,石墨烯和MoS2形成的異質結是一種新型二維層狀結構的異質結,這種器件具有質量輕、功耗低、柔性等特點,現(xiàn)在存在的主要問題是保證二維石墨烯和層狀MoS2的晶體結構,可控制備石墨烯和層狀MoS2,完善異質結器件的工藝和結構設計,提高其電學性能,對其在實際中的應用至關重要。針對以上問題,本文的主要研究內容及結果如下: (1)可控制備高質量石墨烯二維晶體的探索。借助X射線衍射儀、掃描電鏡、紫外光譜、紅外光譜、拉曼光譜等對石墨烯性質進行表征分析,比較各種制備方法的優(yōu)缺點,得到其制備的最佳工藝參數(shù)和制備方法。采用改進的Hummers方法制備氧化石墨烯,利用化學試劑HI酸和維生素C還原氧化石墨烯(GO),此方法過程復雜,時間較長,制備的石墨烯中引入了雜質原子,會破壞石墨烯原有二維結構,影響其性能;采用液相溶液剝離法,以石墨粉末為原料,在有機溶劑DMF中直接超聲剝離,通過高速離心后得到質量較高的石墨烯分散液,制備石墨烯的最佳條件為石墨烯/DMF的濃度為0.14mg/ml,超聲時間為9h,超聲功率為350W,此方法能大批量生產石墨烯,適用于石墨烯透明導電薄膜的應用;采用化學氣相沉積法(CVD)制備石墨烯,甲烷作為碳源,氣體流量為10sccm,H2作為保護氣體,氣體流量為40sccm,生長溫度為1000℃,生長時間為1-2min,在銅箔上生長了少數(shù)層的石墨烯,并采用濕法轉移,將石墨烯薄膜轉移到載玻片襯底上。 (2)磁控濺射制備層狀MoS2薄膜,對其濺射條件進行優(yōu)化。借助X射線衍射儀、拉曼光譜等對其性質進行表征分析,得到層狀MoS2薄膜的最佳制備工藝參數(shù)為:濺射功率為30W,Ar氣流量為15sccm,濺射時間為3min。 (3)MoS2-石墨烯異質結的制備。采用磁控濺射法在玻璃襯底上制備MoS2薄膜,選取CVD法在MoS2薄膜上制備石墨烯,再利用磁控濺射法沉積金屬銅接觸電極,形成MoS2-石墨烯異質結。借助拉曼光譜分析MoS2和石墨烯的結構,并從理論上分析MoS2與金屬接觸的能帶結構,從實驗測試分析石墨烯與金屬接觸的I-V性能,并最終測試MoS2-石墨烯異質結的I-V特性。實驗結果表明:隨著異質結正向電壓的增大,異質結電流I增大,當正向電壓增大到一定值以后,電流增值幅度降低,基本趨于平緩;異質結加反向電壓時具有反向電流,隨著反向電壓的增大,反向電流也隨之增大。隨著MoS2濺射時間的增大,異質結的電流會減小。 本文提出的這種創(chuàng)新型異質結器件,為其應用到傳感器、光電檢測等領域打下基礎,未來通過進一步改進器件的結構和性能,將有望應用到電子領域中。
【關鍵詞】:石墨烯 MoS_2 異質結 制備
【學位授予單位】:陜西科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2014
【分類號】:O613.71;O614.612
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • ABSTRACT7-13
  • 1 緒論13-31
  • 1.1 石墨烯的國內外研究現(xiàn)狀13-20
  • 1.1.1 石墨烯的結構和性能14-16
  • 1.1.2 石墨烯的制備方法16-18
  • 1.1.3 石墨烯的應用18-20
  • 1.2 MoS_2的國內外研究現(xiàn)狀20-27
  • 1.2.1 MoS_2的結構和性能20-23
  • 1.2.2 MoS_2的制備方法23-25
  • 1.2.3 MoS_2的應用25-27
  • 1.3 異質結器件的國內外研究現(xiàn)狀27-29
  • 1.3.1 異質結的簡介27-28
  • 1.3.2 異質結的能帶結構和 I-V 曲線28-29
  • 1.3.3 異質結的應用29
  • 1.4 本文的研究目的與意義29-30
  • 1.4.1 MoS_2-石墨烯異質結器件的選題依據(jù)29-30
  • 1.4.2 MoS_2-石墨烯異質結器件研究目的與意義30
  • 1.5 論文的主要工作內容30-31
  • 2 化學方法制備石墨烯薄膜31-44
  • 2.1 實驗材料與儀器31
  • 2.2 氧化石墨烯的制備31-38
  • 2.2.1 引言31-33
  • 2.2.2 氧化石墨的制備33
  • 2.2.3 氧化石墨烯水溶液的制備33-34
  • 2.2.4 氧化石墨烯的性能表征分析34-38
  • 2.3 石墨烯及石墨烯薄膜的制備38-42
  • 2.3.1 引言38
  • 2.3.2 石墨烯薄膜的制備38-39
  • 2.3.3 石墨烯的表征分析39-42
  • 2.4 本章小結42-44
  • 3 液相溶液剝離法制備石墨烯44-50
  • 3.1 實驗材料、試劑與儀器44
  • 3.2 石墨烯分散液的制備44-46
  • 3.3 石墨烯的表征分析46-48
  • 3.3.1 石墨烯分散液的紫外光譜分析46-47
  • 3.3.2 石墨烯分散液的宏觀結果分析47
  • 3.3.3 石墨烯分散液的 SEM 表面形貌分析47-48
  • 3.4 本章小結48-50
  • 4 化學氣相沉積法制備石墨烯50-54
  • 4.1 引言50
  • 4.2 實驗部分50-51
  • 4.2.1 實驗試劑和儀器50
  • 4.2.2 實驗過程50-51
  • 4.3 石墨稀的轉移51-52
  • 4.4 石墨烯的表征52-53
  • 4.5 本章小結53-54
  • 5 射頻磁控濺射法制備二硫化鉬54-62
  • 5.1 引言54
  • 5.2 射頻磁控濺射法的基本原理54-55
  • 5.3 二硫化鉬薄膜的制備55-59
  • 5.3.1 實驗材料、試劑及儀器55
  • 5.3.2 實驗部分55-59
  • 5.4 層狀 MoS_2薄膜的表征59-61
  • 5.4.1 MoS_2薄膜的 SEM 分析59-60
  • 5.4.2 MoS_2薄膜的 XRD 組織結構分析60
  • 5.4.3 MoS_2薄膜的拉曼光譜分析60-61
  • 5.5 本章小結61-62
  • 6 MoS_2-石墨烯異質結的設計與研究62-67
  • 6.1 MoS_2-石墨烯異質結的設計與制備62
  • 6.2 MoS_2與金屬電極接觸結的分析62-63
  • 6.3 石墨烯與金屬電極接觸結的分析63-65
  • 6.4 MoS_2-石墨烯異質結的性能測試與分析65-67
  • 7 結論與展望67-69
  • 7.1 全文工作總結67
  • 7.2 未來工作展望67-69
  • 致謝69-70
  • 參考文獻70-79
  • 攻讀學位期間發(fā)表的論文目錄79-80

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 周麗春,吳偉端,趙煌;納米二硫化鉬的制備與表征[J];電子顯微學報;2004年06期

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3 傅強;包信和;;石墨烯的化學研究進展[J];科學通報;2009年18期

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6 施爾畏,夏長泰,王步國,仲維卓;水熱法的應用與發(fā)展[J];無機材料學報;1996年02期

7 李惠茗;張鵬云;李春新;;石墨烯的制備方法及表征研究[J];鹽城工學院學報(自然科學版);2010年03期


  本文關鍵詞:二硫化鉬—石墨烯異質結的制備與研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號:312756

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