層錯(cuò)四面體對(duì)單晶銅層裂行為影響的分子動(dòng)力學(xué)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-31 06:57
層錯(cuò)四面體是一種典型的三維空位型缺陷,廣泛存在于受輻照后的面心立方金屬材料中,對(duì)材料的力學(xué)性能有顯著的影響.目前,關(guān)于層錯(cuò)四面體對(duì)輻照材料層裂行為的影響還缺乏深入系統(tǒng)的研究.本文使用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了含有層錯(cuò)四面體的單晶銅在不同沖擊速度下的層裂行為,對(duì)整個(gè)沖擊過程中的自由表面速度及微結(jié)構(gòu)演化等進(jìn)行了深入的分析.研究發(fā)現(xiàn),層錯(cuò)四面體在沖擊波作用下會(huì)發(fā)生坍塌,并進(jìn)一步誘導(dǎo)材料產(chǎn)生位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷.在中低速度加載下,層錯(cuò)四面體坍塌引起的缺陷快速向周圍擴(kuò)展,為孔洞提供了更寬的形核區(qū)域,促進(jìn)了孔洞的異質(zhì)成核,造成材料層裂強(qiáng)度大幅度減小.當(dāng)沖擊速度較高時(shí),層錯(cuò)四面體坍塌導(dǎo)致的局部缺陷對(duì)材料的層裂強(qiáng)度不再有明顯影響.
【文章來源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(03)北大核心EISCICSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
本文編號(hào):3111010
【文章來源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(03)北大核心EISCICSCD
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