基于從頭密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)方法,首次研究了二元化合物GaN鏈介于兩個金電極之間的電子輸運性質(zhì).模擬了Au-（GaN）₂-Au節(jié)點斷裂過程,計算了相應(yīng)的結(jié)合能,獲得了平衡態(tài)電導(dǎo)以及平衡態(tài)下節(jié)點的投影態(tài)密度.此外,計算了平衡態(tài)下節(jié)點在微小偏壓下的電流和電導(dǎo).結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著偏壓增強,GaN分子鏈的電導(dǎo)也隨之下降.最后給出的伏安特性曲線呈現(xiàn)一個非線性關(guān)系,表明節(jié)點具有類似半導(dǎo)體的特征. 

【文章來源】：原子與分子物理學(xué)報. 2020,37(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Theoretical mode and calculation details
3 Results and discussion
4 Conclusions


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]石墨烯納米片電子結(jié)構(gòu)和量子輸運特性第一原理研究[J]. 趙磊,孫偉峰,楊佳明.  原子與分子物理學(xué)報. 2018(06)
[2]溫度對GaN（0001）表面生長吸附SrO、BaO和TiO2影響的理論研究[J]. 梁曉琴,周金君,楊春,李來才.  原子與分子物理學(xué)報. 2018(06)
[3]外電場下GaN的特性研究[J]. 楊敏,吳永剛,徐梅,令狐榮鋒.  原子與分子物理學(xué)報. 2018(03)



本文編號：3044433