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過渡金屬硒化物的高溫高壓制備及其物性研究

發(fā)布時間:2021-02-13 01:04
  過渡金屬硫屬化物(TMDCs)具有與石墨相似的準二維層狀結構,其豐富的化學組分和多晶相使得該體系表現出非常寬泛的電學性質,例如絕緣體、金屬、超導、電荷密度波及拓撲性質等。TMDCs材料共有11種多晶相,其中Ta Se2具有七種:1T-,2Ha-,3R-,4Ha-,4Hb-,4Hc-,6R-;Nb Se2具有五種:1T-,2Ha-,3R-,4H-,4HdⅠ-,4HdⅡ-。理論研究表明,溫度和壓力可以誘導這些多晶相之間的轉變,從而誘發(fā)出新的物理性質,這些豐富的多晶型化合物為尋找多功能材料提供了新線索。然而壓力誘導TMDCs多晶相結構的轉變、電子能帶結構的變化、光學性質、磁學性質等方面的研究還處于基本研究階段。本論文選取TMDCs體系中的Ta Se2和Nb Se2作為研究對象,利用高溫高壓方法合成了三種不同結構的Ta Se2和基本結構的Nb Se2,利用常壓X射線衍射技術、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)以及熱重差熱分析對所合成的樣品進行了表征,并結合高壓原位X射線衍射研究了其高壓下的晶體結構,取得了如下結果:(1)通過高溫高壓合成方法,成功制備出了2Ha-Ta Se2、亞... 

【文章來源】:吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】:65 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

過渡金屬硒化物的高溫高壓制備及其物性研究


T八面體配位層

配位層,三棱柱,緒論,穩(wěn)定結構


H三棱柱配位層

示意圖,側視圖,俯視圖,單層


其中 2H-為穩(wěn)定結構。圖 1.1 1T 八面體配位層 圖 1.2 1H 三棱柱配位層圖1.3 單層1T結構俯視圖和側視圖 圖1.4 單層1H結構的俯視圖和側視圖圖 1.5 單層 TMDCs 在八面體場(左)與三棱柱場(右)中的 d 軌道分裂后的能級示意圖

【參考文獻】:
期刊論文
[1]高壓在高溫超導研究中的應用[J]. 李克強,趙忠賢,靳常青.  物理. 1998(05)
[2]2H-TaSe2低溫高壓下的電荷密度波轉變[J]. 陳桂玉,舒泉聲,趙忠賢.  低溫物理. 1983(04)

碩士論文
[1]層狀MoS2和WS2的制備及壓力調控研究[D]. 韓博.吉林大學 2017



本文編號:3031721

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