鈮酸鹽晶體是晶體材料研究的主流之一,它具備良好的壓電和鐵電性能、電光效應(yīng)和光折變效應(yīng)等性質(zhì),在壓電器件、激光倍頻、熱釋電器件、電容器、電光調(diào)制器以及濾波器等方面都有著重要的應(yīng)用。隨著科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展,儀器設(shè)備開始趨于智能化、集成化、小型化和多功能化,這對晶體材料提出了更高的要求,因而新型鈮酸鹽晶體材料及其應(yīng)用的探索研究對晶體材料的發(fā)展具有重要的理論和現(xiàn)實意義。探索更多實用化的鈮酸鹽晶體材料并研究它們的性能和應(yīng)用前景是必要的,本文主要探索并研究了幾種新型鈮酸鹽晶體TbNbO₄、Ba₆Ti₂Nb₈O₃₀和Sr₆Ti₂Nb₈O₃₀,表征了它們的基本性能,探索它們可能的應(yīng)用前景。主要的研究工作和結(jié)果如下:（1）晶體生長根據(jù)TbNbO₄、Ba₆Ti₂Nb₈O₃₀和Sr₆... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

鐵電體電滯回線圖

種不同的空位：２個十二配位的四棱柱間隙Ａ１，４個十五配位的五棱柱間隙Ａ２??以及４個三棱柱間隙６２］，因此鎢青銅結(jié)構(gòu)的化學(xué)通式可寫為??（Ａｌ）２（Ａ２）４（Ｃ）４（Ｂｌ）２（Ｂ２）８Ｏ３０，圖１－２為鎢青銅結(jié)構(gòu)的晶胞在（００１）面上的投影示意??圖。??飯，??圖１－２四方鎢青銅結(jié)構(gòu)在（００１）面上的投影示意圖??一般而言，Ａｌ、Ａ２位置上的離子需要能夠接納較大的配位數(shù)〇＞９），因此它??受限于一些半徑較大的堿金屬和稀土金屬等，例如：Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＇?Ｂａ２＋、??７??

體結(jié)晶于籽晶上；通過籽晶不停地向上旋轉(zhuǎn)提拉，下部的熔體始終具有生長所需??的過冷度，而籽晶與熔體接觸的界面上不停地出現(xiàn)原子或者分子基團的重新排列，??然后逐漸生長出單晶，如圖２－１所示。??疆：??：＇；：＇——??籽晶桿???籽晶?????晶體??？?？??：：＝：＝：－：：：：：＝？＾?轉(zhuǎn)??？：二二二二二二二二二二二二＝：?／?坩堝??：二二二二二二二二二二二與￣￣＾?熔體??圖２－１晶體生長原理不意圖??２．２．２多晶料合成??高質(zhì)量的多晶料是獲取優(yōu)質(zhì)晶體的保障，本論文中生長的各個晶體所需的多??晶料均是通過傳統(tǒng)的固相合成方法獲得的。使用的化學(xué)原料的純度均為４Ｎ級??（９９．９９?％）高純的ＴｂＮｂＣＵ、ＢａＣ０３、ＳｒＣ０３、Ｔｉ０２以及Ｎｂ２０５。將原料烘干處理后，??按照化學(xué)計量比稱量出ＴｂＮｂ〇４、Ｂａ６ＴｂＮｂ８〇３〇和Ｓｒ６Ｔｉ２Ｎｂ８０３（）多晶原料，為防??止多晶料在提拉爐內(nèi)出現(xiàn)坩堝氧化、原料迸濺和揮發(fā)等現(xiàn)象，還需對配制出的多??晶料進行混合、壓制與燒結(jié)。多晶料制備方程式如下：??２Ｔｂ４〇７?＋?４Ｎｂ２〇５?＾?８ＴｂＮｂ０４?＋?０２?ｔ??６ＢａＣ〇３?＋?２Ｔｉ〇２?＋?４Ｎｂ２〇５?￣Ｂａ６Ｔｉ２Ｎｂｓ〇３〇?＋?６ＣＯ２?ｔ??６ＳｒＣ〇３?＋?２Ｔｉ０２?＋?４Ｎｂ２〇５?—?Ｓｒ６Ｔｉ２Ｎｂ８〇３〇?＋?６ＣＯ２?Ｔ??２０??

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]高溫壓電晶體的生長、性能表征和應(yīng)用研究[D]. 于法鵬.山東大學(xué) 2011



本文編號：3029337