發(fā)布時(shí)間：2021-02-08 05:13

　　近年來,利用半導(dǎo)體材料光降解污染物成為研究焦點(diǎn)。不同于單一的半導(dǎo)體光催化材料,復(fù)合半導(dǎo)體能夠有效降低光生電子空穴對的再結(jié)合,提升催化劑的催化活性,針對這一問題,論文選用水熱法制備出MoS2/ZnS復(fù)合材料,并研究其光催化性能。首先,采用水熱法制備ZnS微球,將其分散在MoS2源料中,通過改變反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度、Mo:Zn比、Mo:S比等實(shí)驗(yàn)參數(shù)用二步水熱法制備MoS2/ZnS復(fù)合材料。其晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌等分別采用XRD、SEM、EDS等測試手段進(jìn)行表征分析,證明制備樣品是MoS2/ZnS復(fù)合材料。以MoS2/ZnS復(fù)合材料光催化羅丹明B溶液的降解效率為指標(biāo)做極差分析,得到實(shí)驗(yàn)參數(shù)對制備效果影響的主次關(guān)系,并得到優(yōu)化的制備工藝:Mo:Zn為1:0.5;反應(yīng)時(shí)間為20h;反應(yīng)溫度為170℃;Mo:S為1:5。在優(yōu)化工藝基礎(chǔ)上加入三種不同類型的表面活性劑,設(shè)計(jì)不同濃度梯度的實(shí)驗(yàn),探究其對MoS2/ZnS復(fù)合材料形貌、結(jié)構(gòu)的調(diào)控作用,發(fā)現(xiàn)加入非離子表面活性PVP的MoS2/ZnS復(fù)合材料具有形貌均勻不團(tuán)聚的特點(diǎn),說明PVP的適量添加使得復(fù)合材料中的MoS2的堆垛片層數(shù)目減小、有序化程度降低、... 

【文章來源】：西北大學(xué)陜西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

光催化反應(yīng)原理圖

圖 1.2 TMDs 材料機(jī)械剝離過程與結(jié)構(gòu)a）TMDs 體材料被剝離成單層（b）TMDs 材料的三明治結(jié)性的二維層狀過渡金屬硫?qū)倩铮═MDCs）[30]。二色為鉛灰色或者黑色，通常帶有金屬光感，屬于六1.3 為三種二硫化鉬的結(jié)構(gòu)形式：1T 型、2H 型以及 31]。如圖 1.3 所示，二硫化鉬中每六個(gè)硫原子包圍一 具有許多棱面相，比表面積大，具有很好的催化性構(gòu)，層內(nèi)共價(jià)鍵很強(qiáng)，層間為較弱的范德華力，容硫化鉬層數(shù)逐漸減少時(shí)，由于量子限域效應(yīng)，它的禁接帶隙變?yōu)榱酥苯訋�，因此，相比于體材料，單

第三章 水熱法制備 MoS2/ZnS 材料及其光催化性能研究時(shí)間下得到的產(chǎn)物 XRD 圖。利用 XRD 來分析單因素實(shí)，從圖中可以看出，單因素實(shí)驗(yàn)所得五組樣品的主要衍9°、47.5°、56.3°69.581°、76.807°，其中 2θ=69.58圖 3.1 中右上角單獨(dú)標(biāo)出，通過與 ZnS 標(biāo)準(zhǔn)卡片（JCPD所有衍射峰均與 ZnS 標(biāo)準(zhǔn)特征峰吻合，分別與 ZnS 的（400）、（331）晶面對應(yīng)，說明五組樣品產(chǎn)物均為 ZnS 晶

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碩士論文
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本文編號：3023419