石墨烯-柱芳烴超分子復(fù)合膜的構(gòu)筑及電化學(xué)傳感研究
發(fā)布時(shí)間:2021-02-01 01:16
石墨烯作為一種二維碳材料,由于其良好的電化學(xué)穩(wěn)定性、較大的比表面積和較高的導(dǎo)電性,在電化學(xué)傳感方面顯示出巨大的應(yīng)用潛能。另一方面,超分子化學(xué)中分子識(shí)別的特點(diǎn)在于高度的選擇性和可逆性,這與傳感器對(duì)敏感膜的要求不謀而合。柱芳烴,作為重要的超分子之一,在對(duì)客體分子識(shí)別過程中,已展現(xiàn)出一些獨(dú)特的特性,為其在電化學(xué)傳感的發(fā)展提供了可能性。本文提出將柱芳烴修飾在石墨烯表面,得到具有分子識(shí)別能力的柱芳烴功能化石墨烯復(fù)合材料,將其作為修飾材料在電極表面構(gòu)筑了新的電化學(xué)傳感器。具體研究內(nèi)容如下:(1)將水溶性的氨基功能化的柱[6]芳烴(CP6)修飾到氧化石墨烯(GO)的表面,通過紅外吸收光譜(FTIR)、紫外吸收光譜(UV-Vis)、熱重分析(TGA)、X射線光電子能譜分析(XPS)和Zeta電位等方法表征了GO-CP6的特性。采用脈沖電位法(PPM),一步實(shí)現(xiàn)GO的還原和電極修飾,構(gòu)建了石墨烯-柱芳烴(Er GO-CP6)超分子納米復(fù)合膜修修飾電極(Er GO-CP6/GCE)。掃描電鏡(SEM)、拉曼光譜(Raman)和循環(huán)伏安法(CV)等手段表征了Er GO-CP6修飾電極特性。在此基礎(chǔ)上,研究了...
【文章來源】:鄭州大學(xué)河南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:92 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖
第一章緒論5用下將分散液中的GO直接在裸電極表面還原成石墨烯。對(duì)比于間接電化學(xué)還原,該方法有明顯的優(yōu)勢(shì):(1)試劑無毒,條件溫和,不產(chǎn)生二次污染,操作過程簡便快速。(2)制備過程可控,容易在電極界面實(shí)現(xiàn)功能化構(gòu)建和分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。直接電化學(xué)還原方法還可以將納米復(fù)合物和GO混合,然后讓二者的混合物通過電化學(xué)同步沉積到電極的表面,這為制備ErGO的納米混合物提供更簡便、直接的方法。Wu等[31]也將GO與氮摻雜碳納米管(NCNTs)混合均勻,用電化學(xué)沉積了ErGO/NCNTs,進(jìn)一步的表征與測(cè)試,發(fā)現(xiàn)該復(fù)合物可以有效的降低石墨烯的團(tuán)聚現(xiàn)象,并提高其導(dǎo)電性能。這些功能化石墨烯的構(gòu)建,對(duì)電化學(xué)傳感器的應(yīng)用提供了更多的可能性。2.基于脈沖電位法構(gòu)建的ErGO修飾電極目前,電化學(xué)還原石墨烯多采用的是恒電位法[32]和循環(huán)伏安法[33]。這兩種方法還原效率并不高,而且在沉積過程中構(gòu)建復(fù)合材料修飾界面時(shí),并不能克服易堆積、易氧化等缺點(diǎn)。圖1.3構(gòu)建石墨烯薄膜時(shí)的電流和電位(插圖)變化圖脈沖電位法(PPM)的電位是按照矩形波變化的,最大的特點(diǎn)就是存在脈沖間隔。如圖1.3展示了脈沖電位技術(shù)構(gòu)建石墨烯薄膜是的電流和電位變化波形圖。它在玻碳電極表面采用了兩種電位:陽極電位和陰極電位。當(dāng)施加一個(gè)脈沖電位后,GO沉積在GCE表面,當(dāng)施加另一個(gè)脈沖電位時(shí),GO得到還原變成ErGO。期間由于脈沖間隔的存在,GCE溶液界面處消耗的物質(zhì)得到補(bǔ)償,晶粒的增長受到阻礙,不易發(fā)生團(tuán)聚,從而形成晶粒較小且均勻的薄膜。Rajendran等[34]采用脈沖電位法制得了聚苯胺膜,在實(shí)驗(yàn)過程中還通過調(diào)節(jié)不同的脈沖參數(shù)條件,
第一章緒論7第四代主體超分子葫蘆脲因是一個(gè)桶狀的大環(huán)化合物,結(jié)構(gòu)高度對(duì)稱,官能化比較困難,發(fā)展受到了阻礙。圖1.4冠醚、環(huán)糊精、杯芳烴、葫蘆脲和柱芳烴結(jié)構(gòu)圖柱芳烴作為第五代超分子主體。在2008年,Ogoshi教授等人[45]發(fā)現(xiàn)柱芳烴是在對(duì)苯二酚醚單元的苯環(huán)的對(duì)位通過亞甲基橋連接所構(gòu)成的、結(jié)構(gòu)對(duì)稱的“柱”狀化合物。柱芳烴因其高度對(duì)稱的結(jié)構(gòu)和易官能團(tuán)化等特點(diǎn),首次報(bào)道之后就引起了外界的廣泛關(guān)注。1.3.2柱芳烴簡介作為一類新型的大環(huán)主體化合物,柱芳烴的出現(xiàn)促進(jìn)了超分子化學(xué)的蓬勃發(fā)展。所以隨著Ogoshi教授等人首次設(shè)計(jì)并合成的超分子化合物被命名為“柱[5]芳烴”之后,柱芳烴同系物柱[n]芳烴(n=5-15)等也先后被合成[46-47]。其中柱[5]芳烴和柱[6]芳烴分別是由五個(gè)、六個(gè)重復(fù)單元組成,因?yàn)樗麄儺a(chǎn)量高且易修飾,因此得到廣泛的應(yīng)用。根據(jù)單晶數(shù)據(jù)顯示[48](圖1.5),柱[5]芳烴呈現(xiàn)正五邊形柱狀結(jié)構(gòu),其中苯環(huán)與橋碳與相鄰苯環(huán)的Ar-C-Ar的夾角約為111°,而sp3雜化軌道的鍵角為109°28',正五邊形的內(nèi)角為108°,這些值都很接近,因此是一個(gè)對(duì)稱性非常好的環(huán)狀低聚物。柱[6]芳烴的單晶結(jié)構(gòu)與柱[5]芳烴類似(圖1.6),也是一個(gè)高度對(duì)稱的大環(huán)化合物,結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)正六邊形的柱狀結(jié)構(gòu)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]柱[6]芳烴在功能材料方面的應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 陳煜,田曉沖,唐坤,李臣康,柏松. 化工新型材料. 2019(06)
[2]不同還原劑制備石墨烯及其表征[J]. 李子慶,赫文秀,張永強(qiáng),邵志海,于慧穎. 電源技術(shù). 2018(06)
[3]基于電化學(xué)還原氧化石墨烯的電化學(xué)傳感[J]. 饒紅紅,薛中華,王雪梅,趙國虎,侯輝輝,王暉. 化學(xué)進(jìn)展. 2016(Z2)
[4]6-疏基嘌呤,硫唑嘌呤,8-氮雜鳥嘌呤的濾紙基質(zhì)室溫?zé)夥ㄑ芯縖J]. 王亞平,丁莉華,董川. 分析化學(xué). 2004(01)
[5]8-氮鳥嘌呤在活化電極上的電化學(xué)行為研究[J]. 許雪琴,齊秀貞,陳國南. 福州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(05)
[6]抗癌藥物8-氮鳥嘌呤的示波極譜分析方法研究[J]. 王翠紅,劉晨湘,曲松,徐張明,冶保獻(xiàn). 天津師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(02)
[7]8-氮鳥嘌呤的極譜伏安行為[J]. 張勇,樊惠芝,孔祥科,劉燕娥,潘景浩. 分析化學(xué). 1998(06)
博士論文
[1]基于柱芳烴主客體化學(xué)的研究與應(yīng)用[D]. 華彬.浙江大學(xué) 2018
[2]功能化石墨烯的制備及在高性能高分子材料中的應(yīng)用[D]. 曹也文.復(fù)旦大學(xué) 2012
碩士論文
[1]基于柱芳烴的人工單分子陰離子跨膜通道的設(shè)計(jì)合成[D]. 陳曉磊.青島科技大學(xué) 2018
[2]三維多孔石墨烯的制備及其表征[D]. 孫丹.沈陽大學(xué) 2016
[3]功能化石墨烯及其復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 周超.上海工程技術(shù)大學(xué) 2015
本文編號(hào):3011928
【文章來源】:鄭州大學(xué)河南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:92 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖
第一章緒論5用下將分散液中的GO直接在裸電極表面還原成石墨烯。對(duì)比于間接電化學(xué)還原,該方法有明顯的優(yōu)勢(shì):(1)試劑無毒,條件溫和,不產(chǎn)生二次污染,操作過程簡便快速。(2)制備過程可控,容易在電極界面實(shí)現(xiàn)功能化構(gòu)建和分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。直接電化學(xué)還原方法還可以將納米復(fù)合物和GO混合,然后讓二者的混合物通過電化學(xué)同步沉積到電極的表面,這為制備ErGO的納米混合物提供更簡便、直接的方法。Wu等[31]也將GO與氮摻雜碳納米管(NCNTs)混合均勻,用電化學(xué)沉積了ErGO/NCNTs,進(jìn)一步的表征與測(cè)試,發(fā)現(xiàn)該復(fù)合物可以有效的降低石墨烯的團(tuán)聚現(xiàn)象,并提高其導(dǎo)電性能。這些功能化石墨烯的構(gòu)建,對(duì)電化學(xué)傳感器的應(yīng)用提供了更多的可能性。2.基于脈沖電位法構(gòu)建的ErGO修飾電極目前,電化學(xué)還原石墨烯多采用的是恒電位法[32]和循環(huán)伏安法[33]。這兩種方法還原效率并不高,而且在沉積過程中構(gòu)建復(fù)合材料修飾界面時(shí),并不能克服易堆積、易氧化等缺點(diǎn)。圖1.3構(gòu)建石墨烯薄膜時(shí)的電流和電位(插圖)變化圖脈沖電位法(PPM)的電位是按照矩形波變化的,最大的特點(diǎn)就是存在脈沖間隔。如圖1.3展示了脈沖電位技術(shù)構(gòu)建石墨烯薄膜是的電流和電位變化波形圖。它在玻碳電極表面采用了兩種電位:陽極電位和陰極電位。當(dāng)施加一個(gè)脈沖電位后,GO沉積在GCE表面,當(dāng)施加另一個(gè)脈沖電位時(shí),GO得到還原變成ErGO。期間由于脈沖間隔的存在,GCE溶液界面處消耗的物質(zhì)得到補(bǔ)償,晶粒的增長受到阻礙,不易發(fā)生團(tuán)聚,從而形成晶粒較小且均勻的薄膜。Rajendran等[34]采用脈沖電位法制得了聚苯胺膜,在實(shí)驗(yàn)過程中還通過調(diào)節(jié)不同的脈沖參數(shù)條件,
第一章緒論7第四代主體超分子葫蘆脲因是一個(gè)桶狀的大環(huán)化合物,結(jié)構(gòu)高度對(duì)稱,官能化比較困難,發(fā)展受到了阻礙。圖1.4冠醚、環(huán)糊精、杯芳烴、葫蘆脲和柱芳烴結(jié)構(gòu)圖柱芳烴作為第五代超分子主體。在2008年,Ogoshi教授等人[45]發(fā)現(xiàn)柱芳烴是在對(duì)苯二酚醚單元的苯環(huán)的對(duì)位通過亞甲基橋連接所構(gòu)成的、結(jié)構(gòu)對(duì)稱的“柱”狀化合物。柱芳烴因其高度對(duì)稱的結(jié)構(gòu)和易官能團(tuán)化等特點(diǎn),首次報(bào)道之后就引起了外界的廣泛關(guān)注。1.3.2柱芳烴簡介作為一類新型的大環(huán)主體化合物,柱芳烴的出現(xiàn)促進(jìn)了超分子化學(xué)的蓬勃發(fā)展。所以隨著Ogoshi教授等人首次設(shè)計(jì)并合成的超分子化合物被命名為“柱[5]芳烴”之后,柱芳烴同系物柱[n]芳烴(n=5-15)等也先后被合成[46-47]。其中柱[5]芳烴和柱[6]芳烴分別是由五個(gè)、六個(gè)重復(fù)單元組成,因?yàn)樗麄儺a(chǎn)量高且易修飾,因此得到廣泛的應(yīng)用。根據(jù)單晶數(shù)據(jù)顯示[48](圖1.5),柱[5]芳烴呈現(xiàn)正五邊形柱狀結(jié)構(gòu),其中苯環(huán)與橋碳與相鄰苯環(huán)的Ar-C-Ar的夾角約為111°,而sp3雜化軌道的鍵角為109°28',正五邊形的內(nèi)角為108°,這些值都很接近,因此是一個(gè)對(duì)稱性非常好的環(huán)狀低聚物。柱[6]芳烴的單晶結(jié)構(gòu)與柱[5]芳烴類似(圖1.6),也是一個(gè)高度對(duì)稱的大環(huán)化合物,結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)正六邊形的柱狀結(jié)構(gòu)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]柱[6]芳烴在功能材料方面的應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 陳煜,田曉沖,唐坤,李臣康,柏松. 化工新型材料. 2019(06)
[2]不同還原劑制備石墨烯及其表征[J]. 李子慶,赫文秀,張永強(qiáng),邵志海,于慧穎. 電源技術(shù). 2018(06)
[3]基于電化學(xué)還原氧化石墨烯的電化學(xué)傳感[J]. 饒紅紅,薛中華,王雪梅,趙國虎,侯輝輝,王暉. 化學(xué)進(jìn)展. 2016(Z2)
[4]6-疏基嘌呤,硫唑嘌呤,8-氮雜鳥嘌呤的濾紙基質(zhì)室溫?zé)夥ㄑ芯縖J]. 王亞平,丁莉華,董川. 分析化學(xué). 2004(01)
[5]8-氮鳥嘌呤在活化電極上的電化學(xué)行為研究[J]. 許雪琴,齊秀貞,陳國南. 福州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(05)
[6]抗癌藥物8-氮鳥嘌呤的示波極譜分析方法研究[J]. 王翠紅,劉晨湘,曲松,徐張明,冶保獻(xiàn). 天津師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(02)
[7]8-氮鳥嘌呤的極譜伏安行為[J]. 張勇,樊惠芝,孔祥科,劉燕娥,潘景浩. 分析化學(xué). 1998(06)
博士論文
[1]基于柱芳烴主客體化學(xué)的研究與應(yīng)用[D]. 華彬.浙江大學(xué) 2018
[2]功能化石墨烯的制備及在高性能高分子材料中的應(yīng)用[D]. 曹也文.復(fù)旦大學(xué) 2012
碩士論文
[1]基于柱芳烴的人工單分子陰離子跨膜通道的設(shè)計(jì)合成[D]. 陳曉磊.青島科技大學(xué) 2018
[2]三維多孔石墨烯的制備及其表征[D]. 孫丹.沈陽大學(xué) 2016
[3]功能化石墨烯及其復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 周超.上海工程技術(shù)大學(xué) 2015
本文編號(hào):3011928
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