【摘要】：由于硅烯優(yōu)異的物理性質(zhì)與當(dāng)前的硅基工業(yè)技術(shù)相融合的特點(diǎn),使得硅烯在電子器件等方面都有很好的應(yīng)用前景,并引起了人們極大的關(guān)注。但是硅烯存在兩個(gè)問(wèn)題,首先硅烯的活性很強(qiáng),只能在襯底上制備出來(lái),而在襯底對(duì)體系結(jié)構(gòu)性質(zhì)產(chǎn)生很大的影響,此外硅烯存在帶隙過(guò)小的問(wèn)題。研究表明除了采用吸附、裁剪等手段對(duì)硅烯進(jìn)行調(diào)控之外,尋找新的更穩(wěn)定的二維硅材料也是克服硅烯困難、拓展二維硅材料應(yīng)用的一種有效途徑�；诖�,本文基于第一性原理方法,預(yù)測(cè)了兩種穩(wěn)定的二維硅烯材料(OTDS和(?)×(?)-DA)。通過(guò)計(jì)算其形成能、聲子譜和分子動(dòng)力學(xué)模擬等方法評(píng)估了它們的結(jié)構(gòu)性質(zhì)和穩(wěn)定性,發(fā)現(xiàn)這兩種二維硅結(jié)構(gòu)都比硅烯更穩(wěn)定。而且通過(guò)研究它們的電子性質(zhì),發(fā)現(xiàn)它們都是寬帶隙的半導(dǎo)體材料,OTDS和(?)×(?)-DA的帶隙分別為1.5eV和1.1eV。我們的研究為尋找新的硅烯材料和拓展硅烯應(yīng)用提供了理論依據(jù)。
【學(xué)位授予單位】：湘潭大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類(lèi)號(hào)】：O613.72
【圖文】：

１邋（ａ）和（ｂ）分別為硅烯結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖和正視圖（ｃ）是硅烯的布里淵點(diǎn)（ｄ）０為Ｓｉ－Ｓｉ鍵和Ｚ軸平面的夾角。逡逑９９４年首次計(jì)算出硅的二維晶體結(jié)構(gòu)［４３］，到２００７年硅烯（ｓｉｌｉｃ之命名。它的問(wèn)世使研究者們?nèi)计鹆藢?duì)硅烯深入研究的想向硅q希⒎⒈砹碩嗥柘┫喙羋畚�。硅烯具訛a艽蟮姆衙

本文編號(hào)：2768038