【摘要】：采用密度泛函理論(DFT)的第一性原理方法,對Na在本征石墨烯和不同摻雜濃度的N摻雜石墨烯(NG)表面的吸附性質(zhì)進行了研究。確定了不同N摻雜濃度時NG的最穩(wěn)定N分布結(jié)構(gòu),計算了Na在PG和不同摻雜濃度的NG表面的吸附能。計算結(jié)果表明,N原子摻雜傾向于取代對位或次臨近位置的C原子;隨著N摻雜濃度的增加,吸附高度逐漸增加,且與N摻雜分布相匹配;N摻雜濃度大于C∶N=2∶1(摩爾數(shù)比)時,Na在NG表面的吸附相對穩(wěn)定,Na與C_9N_9表面的結(jié)合最穩(wěn)定。
[Abstract]:The adsorption properties of Na on intrinsic graphene and N-doped graphene (NG) surfaces with different doping concentrations were studied by using the first principle method of density functional theory (DFT). The most stable N distribution structure of NG with different N doping concentration was determined, and the adsorption energy of Na on PG and NG surface with different doping concentration was calculated. The results show that N atom doping tends to replace C atom in counterposition or subadjacent position, and the adsorption height increases gradually with the increase of N doping concentration, and matches with the distribution of N doping. When the N doping concentration is higher than C:N=2:1 (molar ratio), the adsorption of Na on NG surface is relatively stable, and the binding of Na to C_9N_9 surface is the most stable.
【作者單位】： 連云港職業(yè)技術(shù)學院;
【基金】：江蘇高�！扒嗨{工程”資助
【分類號】：O613.71;O647.3

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本文編號：2500475