【摘要】：一維共軛碳基材料以苯環(huán)為基本單元,具有優(yōu)越的導電性,分子光電器件的發(fā)展要求其在高導電性的前提下兼具富電子或少電子特征.本工作設計了噻吩環(huán)取代摻雜一維共軛碳基材料的寡聚苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩(BmT)和寡聚噻吩(TnP)分子模型,利用密度泛函理論結合非平衡格林函數(shù)方法研究了摻雜位置和摻雜程度對其輸運行為的影響.噻吩環(huán)在一維共軛碳基材料上的取代摻雜有效提升了材料的電子輸運效率.BmT和TnP分子的導電特性隨分子長度的變化表明分子的共軛程度決定了電子輸運效率.反式BmT和TnP分子具有多條電子傳輸路徑,而順式BmT和TnP分子隨著分子長度增加,經(jīng)歷了由單條電子傳輸路徑至多條電子傳輸路徑的轉(zhuǎn)變.該研究結果為開發(fā)高性能碳基分子電子材料提供了重要參考.
[Abstract]:One-dimensional conjugated carbon-based materials take benzene ring as the basic unit and have superior conductivity. The development of molecular optoelectronic devices requires that they have both electron-rich or low-electron characteristics under the premise of high conductivity. In this work, the molecular models of oligopolybenzo [1,2 b 鈮，

本文編號：2492321