【摘要】：采用分子動(dòng)力學(xué)方法對(duì)液態(tài)Ga As在1×10~(10) K/s冷速下的快速結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行模擬,并采用雙體分布函數(shù)、原子平均能量、鍵角分布函數(shù)、二面角分布函數(shù)和可視化等方法對(duì)凝固過(guò)程的微觀結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行分析.結(jié)果表明:凝固過(guò)程中,Ga As的結(jié)晶溫度T_c為1460 K,當(dāng)溫度高于T_c時(shí),體系處于液態(tài)無(wú)規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu);當(dāng)溫度低于T_c時(shí),Ga和As原子迅速形核結(jié)晶,形成閃鋅礦為主的多晶結(jié)構(gòu),并在晶界處形成共晶格孿晶結(jié)構(gòu),其中晶界處形成一層纖鋅礦結(jié)構(gòu).在溫度低于520 K時(shí),As原子偏聚形成簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)As_8.
[Abstract]:The rapid crystallization process of liquid Ga As at 1 脳 10 ~ (10) K / s cold rate was simulated by molecular dynamics method. The double body distribution function, atomic average energy and bond angle distribution function were used. The dihedral angle distribution function and visualization were used to analyze the microstructure of solidification process. The results show that the crystallization temperature (T _ c) of, Ga As is 1460 K during solidification. When the temperature is higher than T _ p _ c, the system is in a liquid random network structure. When the temperature is lower than T _ c, the Ga and As atoms rapidly nucleate and crystallize, forming a sphalerite dominated polycrystalline structure and a common lattice twin structure at the grain boundary, in which a wurtzite structure is formed at the grain boundary. When the temperature is below 520K, the As atoms are segregated to form a simple cubic structure As_8..
【作者單位】： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61264004,51661005) 貴州省科技廳和貴州大學(xué)聯(lián)合項(xiàng)目(黔科合LH字[2014]7610,[2016]7430) 貴州省教育廳“125”重大科技專項(xiàng)(黔教合重大專項(xiàng)字[2012]003) 貴州省高層次創(chuàng)新型人才培養(yǎng)項(xiàng)目資助
【分類號(hào)】：O614.371;O76

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本文編號(hào)：2423532