發(fā)布時間：2018-12-19 13:34

【摘要】：采用光學浮區(qū)法生長了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In單晶。X射線衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In單晶仍屬于單斜晶系。研究了不同In摻雜量的β-Ga_2O_3:In單晶的吸收光譜和電學性能。結(jié)果表明:與純β-Ga_2O_3單晶相比,β-Ga_2O_3:In單晶在紅外波段存在明顯吸收。β-Ga_2O_3:In單晶的電導率在10~( 2)量級,Holl載流子濃度可以達到6×10~(19)/cm~2,說明摻雜In~(3+)對β-Ga_2O_3單晶的電學性能有明顯改善。
[Abstract]:尾-Ga_2O_3:In single crystals with size f (7 ~ 9 mm) 脳 (30 ~ 35 mm) have been grown by optical floating zone method. X-ray diffraction phase analysis shows that 尾-Ga_2O_3:In single crystals are still monoclinic. The absorption spectra and electrical properties of 尾-Ga_2O_3:In single crystals with different In dopants were studied. The results show that compared with pure 尾-Ga_2O_3 single crystal, 尾-Ga_2O_3:In single crystal has obvious absorption in infrared band. The conductivity of 尾-Ga_2O_3:In single crystal is in the order of 10 ~ (2). The concentration of Holl carrier can reach 6 脳 10 ~ (19) / cm~2,. The results show that doped In~ (3) can improve the electrical properties of 尾-Ga_2O_3 single crystals.
【作者單位】： 中國科學院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心;中國科學院上海硅酸鹽研究所透明光功能無機材料重點實驗室;同濟大學物理科學與工程學院;上海藍寶石單晶工程技術研究中心(籌);
【基金】：國家自然科學基金項目(91333106) 上�？莆萍脊リP項目(13521102700) 上海藍寶石單晶工程技術研究中心(籌)(14DZ2252500)資助項目 中央高�；究蒲袠I(yè)務費專項資金項目(2015KJ040,1370219229)
【分類號】：O782

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本文編號：2386992