發(fā)布時(shí)間：2018-12-19 13:34

【摘要】：采用光學(xué)浮區(qū)法生長了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In單晶。X射線衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In單晶仍屬于單斜晶系。研究了不同In摻雜量的β-Ga_2O_3:In單晶的吸收光譜和電學(xué)性能。結(jié)果表明:與純?chǔ)?Ga_2O_3單晶相比,β-Ga_2O_3:In單晶在紅外波段存在明顯吸收。β-Ga_2O_3:In單晶的電導(dǎo)率在10~( 2)量級(jí),Holl載流子濃度可以達(dá)到6×10~(19)/cm~2,說明摻雜In~(3+)對β-Ga_2O_3單晶的電學(xué)性能有明顯改善。
[Abstract]:尾-Ga_2O_3:In single crystals with size f (7 ~ 9 mm) 脳 (30 ~ 35 mm) have been grown by optical floating zone method. X-ray diffraction phase analysis shows that 尾-Ga_2O_3:In single crystals are still monoclinic. The absorption spectra and electrical properties of 尾-Ga_2O_3:In single crystals with different In dopants were studied. The results show that compared with pure 尾-Ga_2O_3 single crystal, 尾-Ga_2O_3:In single crystal has obvious absorption in infrared band. The conductivity of 尾-Ga_2O_3:In single crystal is in the order of 10 ~ (2). The concentration of Holl carrier can reach 6 脳 10 ~ (19) / cm~2,. The results show that doped In~ (3) can improve the electrical properties of 尾-Ga_2O_3 single crystals.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心;中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所透明光功能無機(jī)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院;上海藍(lán)寶石單晶工程技術(shù)研究中心(籌);
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(91333106) 上�？莆萍脊リP(guān)項(xiàng)目(13521102700) 上海藍(lán)寶石單晶工程技術(shù)研究中心(籌)(14DZ2252500)資助項(xiàng)目 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金項(xiàng)目(2015KJ040,1370219229)
【分類號(hào)】：O782

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