本文選題：石墨烯 + 介電層　； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2017年21期

【摘要】：作為21世紀(jì)備受矚目的材料,石墨烯兼具優(yōu)異的電、熱、光與力學(xué)性質(zhì),具有十分廣闊的研究?jī)r(jià)值與應(yīng)用價(jià)值.目前主要通過(guò)在金屬基底上生長(zhǎng)獲得石墨烯,并將其轉(zhuǎn)移至目標(biāo)介電層基底上以構(gòu)筑電子器件.轉(zhuǎn)移過(guò)程不可避免地引入了褶皺、裂紋、破損以及聚合物/金屬殘留,嚴(yán)重?fù)p害了石墨烯的性能.因而直接在介電基底上制備高質(zhì)量的石墨烯薄膜具有重要意義.本文總結(jié)了近年來(lái)在介電襯底上直接生長(zhǎng)石墨烯的研究進(jìn)展:闡述了金屬輔助法、等離子體增強(qiáng)法以及熱力學(xué)或動(dòng)力學(xué)調(diào)控法等多種生長(zhǎng)手段;介紹了多種介電/絕緣基底包括SiO_2/Si,Al_2O_3,SrTiO_3,h-BN,SiC,Si_3N_4以及玻璃表面生長(zhǎng)石墨烯的特點(diǎn)與性能,分析了其可能的生長(zhǎng)機(jī)理.根據(jù)拉曼譜圖、薄層電阻、透光率、載流子遷移率等評(píng)估指標(biāo),將多種方法得到的石墨烯質(zhì)量進(jìn)行了總結(jié)與比較,并提出了直接在介電襯底上生成石墨烯的研究難點(diǎn)與趨勢(shì).
[Abstract]:As one of the most attractive materials in the 21 ~ (st) century, graphene has excellent electrical, thermal, optical and mechanical properties. At present, graphene is obtained by growth on metal substrate and transferred to the target dielectric substrate to construct electronic devices. The transfer process inevitably introduces folds, cracks, breakage and polymer / metal residues, which seriously impair the properties of graphene. Therefore, it is of great significance to prepare high quality graphene films directly on dielectric substrates. In this paper, the recent progress in the direct growth of graphene on dielectric substrates is summarized. The methods of metal assisted growth, plasma enhancement and thermodynamics or kinetic regulation are reviewed. The characteristics and properties of various dielectric / insulating substrates including Sio _ 2 / SiS _ 2O _ 3S _ 2O _ 3S _ TiO _ 3h-BN _ N _ Si _ C _ (C) Si _ 3N _ 4 and the growth of graphene on glass surface are introduced. The possible growth mechanism of graphene is analyzed. According to the evaluation indexes of Raman spectrum, thin layer resistance, transmittance and carrier mobility, the quality of graphene obtained by various methods was summarized and compared, and the research difficulties and trends of graphene formation on dielectric substrates were put forward.
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;哈爾濱工業(yè)大學(xué)微系統(tǒng)與微結(jié)構(gòu)制造教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2013CB632900) 國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61390502,21373068)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：O613.71

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本文編號(hào)：2022160