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負(fù)載型氧化亞銅制備及其光催化性能的研究.pdf

發(fā)布時(shí)間:2016-11-21 17:37

  本文關(guān)鍵詞:負(fù)載型氧化亞銅的制備及其光催化性能的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


謹(jǐn)以此論文獻(xiàn)給關(guān)心我的老師、親人和朋友 ------------------------林慧 萬(wàn)方數(shù)據(jù) 萬(wàn)方數(shù)據(jù) 萬(wàn)方數(shù)據(jù) 負(fù)載型氧化亞銅的制備及其光催化性能的研究 摘 要 半導(dǎo)體光催化技術(shù)是21 世紀(jì)環(huán)境污染控制與治理的理想技術(shù)。目前這一環(huán) 保高新技術(shù)受到各國(guó)研究者的廣泛關(guān)注。負(fù)載型材料能夠解決材料本身因粒徑小 而容易團(tuán)聚及不容易回收再利用的問(wèn)題,因而負(fù)載型光催化劑的制備這一研究領(lǐng) 域更是得到了研究者的青睞。 本文以五水硫酸銅、無(wú)水亞硫酸鈉為原料,選取人造沸石、硅粉、γ-Al O 2 3 為載體,在乙酸- 乙酸鈉緩沖液中,通過(guò)化學(xué)沉積法制備了負(fù)載型氧化亞銅光催 化劑。采用 X 射線衍射(XRD )對(duì)制得樣品進(jìn)行物象分析,表明樣品的主要成 分是氧化亞銅和載體;采用掃描電子顯微鏡(SEM )對(duì)制得樣品進(jìn)行形貌和尺寸 大小分析,表明光催化劑氧化亞銅在載體表面有規(guī)則的晶須狀生長(zhǎng),晶須的寬度 均在 0.1~0.5 μm;紫外-可見(jiàn)漫反射分析表明樣品在可見(jiàn)光區(qū)域有較強(qiáng)的光吸收 性能。實(shí)驗(yàn)對(duì)影響負(fù)載型氧化亞銅的純度和形貌進(jìn)行了分析,,得出制備樣品的最 佳條件為:樣品制備過(guò)程中將乙酸-乙酸鈉緩沖液加入到亞硫酸鈉溶液中;0.5 g/L 的沸石摻量時(shí)硫酸銅的濃度應(yīng)控制為0.05 mol/L;0.05 mol/L 的硫酸銅濃度時(shí)硅 粉、氧化鋁的最佳摻量分別為0.8 g/L、0.6 g/L ;反應(yīng)溫度應(yīng)控制為85 ℃;反應(yīng) 時(shí)間控制為180 min。采用EDTA 絡(luò)合滴定法測(cè)得沸石-Cu O、硅粉-Cu O、氧化 2 2 鋁-Cu O 中氧化亞銅的含量分別為68.62%、63.19%、65.66% 。 2 以難降解、色度大的偶氮染料甲基橙來(lái)模擬印染廢水,分別從光照時(shí)間、甲 基橙初始濃度及初始pH 、降解溫度等不同方面來(lái)考察制得樣品對(duì)甲基橙的降解 影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:負(fù)載型氧化亞銅


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本文編號(hào):184955

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