本文選題：單晶硅 + 勾型磁場(chǎng)�。� 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年11期

【摘要】：本文利用CGSim晶體生長(zhǎng)軟件分析了不同磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)直拉單晶硅中碳雜質(zhì)含量的影響。結(jié)果表明,氣氛中的碳原子主要通過(guò)熔體自由表面上靠近坩堝壁一側(cè)區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)熔體。通過(guò)調(diào)節(jié)對(duì)稱(chēng)磁場(chǎng)和非對(duì)稱(chēng)磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)參數(shù)來(lái)抑制碳原子摻入?yún)^(qū)域的對(duì)流強(qiáng)度,增大碳原子擴(kuò)散層的厚度,進(jìn)而降低熔體中的碳原子濃度,最終獲得低碳含量的直拉單晶硅。
[Abstract]:The influence of magnetic field structure on carbon impurity content in Czochralski silicon has been analyzed by CGSim crystal growth software. The results show that the carbon atoms in the atmosphere diffuse into the melt mainly through the region near the crucible wall on the free surface of the melt. By adjusting the structural parameters of symmetric magnetic field and asymmetric magnetic field, the convection intensity of carbon atom doping region is restrained, the thickness of diffusion layer of carbon atom is increased, and the concentration of carbon atom in melt is reduced, finally, Czochralski silicon with low carbon content is obtained.
【作者單位】： 寧夏大學(xué)寧夏光伏材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：寧夏高等學(xué)�？茖W(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目(NGY2015032)
【分類(lèi)號(hào)】：O613.72;O782

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本文編號(hào)：1840123