本文選題：氧化石墨烯-氧化鋅復(fù)合膜　切入點(diǎn)：電化學(xué)還原　出處：《物理化學(xué)學(xué)報(bào)》2017年03期

【摘要】：采用陽極電泳法,在氧化鋅(ZnO)襯底上沉積氧化石墨烯(GO)以形成GO-ZnO雙層復(fù)合膜;采用陰極恒電位法,對(duì)復(fù)合膜上的GO進(jìn)行還原。對(duì)不同還原時(shí)間的GO,通過X射線光電子能譜(XPS),傅里葉變換紅外(FTIR)光譜,場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)等手段對(duì)其結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行表征,采用紫外-可見(UV-Vis)分光光度法和電化學(xué)測(cè)試手段對(duì)其能級(jí)演變進(jìn)行考察,并對(duì)兩者的對(duì)應(yīng)關(guān)系進(jìn)行了討論。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)GO膜達(dá)到最大還原態(tài)后,隨還原時(shí)間增加還會(huì)出現(xiàn)進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,并最終碎裂生成邊緣?mèng)然龆嗟男〕叽鏕O。GO能隙均減小至可見光范圍,其能級(jí)位置及半導(dǎo)體極性也產(chǎn)生了不同的改變。由對(duì)復(fù)合膜的光電化學(xué)測(cè)試可見,除1800 s GO能級(jí)不再與ZnO匹配外,60 s到600 s GO-ZnO復(fù)合膜均可作為陽極光電極進(jìn)行太陽光電轉(zhuǎn)換。對(duì)光電性能差異的討論則可得,GO膜碎裂造成疊層形貌向無序形貌的轉(zhuǎn)變有利于光電轉(zhuǎn)換性能的提升。
[Abstract]:GO-ZnO bilayer composite films were formed by anodic electrophoretic deposition of graphene oxide on zinc oxide (ZnO) substrates, and the reduction of go on the composite films by cathodic potentiostatic method.The structure changes of GO3 were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and field emission scanning electron microscopy (FESEM).The energy level evolution was investigated by UV-Visspectrophotometry and electrochemical measurement, and the corresponding relationship between them was discussed.It is found that when go films reach the maximum reduction state, further structural transformation will occur with the increase of reduction time, and the small GO.GO energy gap with the increase of carboxyl groups at the edge will eventually be reduced to the visible range.The position of energy level and the polarity of semiconductor have different changes.From the photochemical test of the composite film, it can be seen that the 1800 s go energy level is no longer matched with the ZnO, and 60 s to 600 s GO-ZnO composite film can be used as the anode photoelectrode for solar photovoltaic conversion.On the other hand, it can be concluded that the transition of stacking morphology to disordered morphology is beneficial to the improvement of optoelectronic conversion performance.
【作者單位】： 同濟(jì)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;先進(jìn)土木工程材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51172162)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：O646

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