本文選題：磷酸二氫鉀晶體　切入點(diǎn)：溶液晶體生長(zhǎng)　出處：《硅酸鹽學(xué)報(bào)》2017年07期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：采用原子力顯微鏡對(duì)35℃附近,在不同過(guò)飽和度下生長(zhǎng)的KDP晶體(100)面生長(zhǎng)臺(tái)階的推移進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,用激光偏振干涉手段實(shí)時(shí)測(cè)量了KDP晶體(100)面的臺(tái)階推移速率與過(guò)飽和度之間的關(guān)系。結(jié)果表明:臺(tái)階的推移速率ν隨過(guò)飽度σ的增加而增大,過(guò)飽和度死區(qū)σ_d和線(xiàn)性區(qū)σ*的值分別為0.018和0.033。當(dāng)σ=0.07時(shí),晶體推移速率ν增加變緩,進(jìn)入延長(zhǎng)線(xiàn)通過(guò)原點(diǎn)的線(xiàn)性區(qū)。臺(tái)階寬度隨σ的增加呈現(xiàn)出先增大后降低的趨勢(shì),當(dāng)σ=0.01、0.05和0.08時(shí),臺(tái)階聚并程度和斜率都高;當(dāng)σ=0.08時(shí),晶體表面出現(xiàn)樹(shù)枝狀支臺(tái)階。在不同過(guò)飽和度區(qū)間內(nèi)臺(tái)階推移方式發(fā)生的變化可能是影響臺(tái)階聚并程度和推移速率的原因。
[Abstract]:An atomic force microscope (AFM) was used to study the growth steps of KDP crystals grown at 35 鈩，

本文編號(hào)：1579334