本文選題：磷酸二氫鉀晶體　切入點：溶液晶體生長　出處：《硅酸鹽學(xué)報》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用原子力顯微鏡對35℃附近,在不同過飽和度下生長的KDP晶體(100)面生長臺階的推移進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,用激光偏振干涉手段實時測量了KDP晶體(100)面的臺階推移速率與過飽和度之間的關(guān)系。結(jié)果表明:臺階的推移速率ν隨過飽度σ的增加而增大,過飽和度死區(qū)σ_d和線性區(qū)σ*的值分別為0.018和0.033。當(dāng)σ=0.07時,晶體推移速率ν增加變緩,進(jìn)入延長線通過原點的線性區(qū)。臺階寬度隨σ的增加呈現(xiàn)出先增大后降低的趨勢,當(dāng)σ=0.01、0.05和0.08時,臺階聚并程度和斜率都高;當(dāng)σ=0.08時,晶體表面出現(xiàn)樹枝狀支臺階。在不同過飽和度區(qū)間內(nèi)臺階推移方式發(fā)生的變化可能是影響臺階聚并程度和推移速率的原因。
[Abstract]:An atomic force microscope (AFM) was used to study the growth steps of KDP crystals grown at 35 鈩，

本文編號：1579334