本文關(guān)鍵詞： 聲子晶體 晶格動力學(xué) 色散關(guān)系 群速度　出處：《東南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：提出了一種計算大尺度原胞的晶格動力學(xué)方法,對光滑硅薄膜的聲子色散關(guān)系進(jìn)行了檢驗.在不考慮聲子區(qū)域折疊效應(yīng)的條件下,通過比較超原胞和單原胞模型計算的聲子色散關(guān)系,證實了所提方法的正確性.運用該方法研究了二維孔狀硅聲子晶體的色散關(guān)系.進(jìn)一步研究了硅聲子晶體色散關(guān)系與氣孔率和膜厚的關(guān)系,結(jié)果發(fā)現(xiàn),與相同厚度的光滑硅薄膜相比,孔的存在降低了三支聲學(xué)的聲子群速度;隨著氣孔率的增加,聲子群速度快速降低;而增加薄膜厚度主要增加了法向聲子群速度.
[Abstract]:In this paper, a lattice dynamics method for calculating large scale primitive cells is proposed, and the phonon dispersion relationship of smooth silicon thin films is tested. The phonon region folding effect is not considered. By comparing the phonon dispersion relations calculated by supercell and unit cell models, The method is used to study the dispersion relation of two-dimensional porous silicon phonon crystal. The relationship between the dispersion relation and porosity and film thickness of silicon phonon crystal is further studied. Compared with smooth silicon thin films of the same thickness, the existence of holes decreases the phonon group velocity of three acoustics; with the increase of porosity, the phonon group velocity decreases rapidly; and the increase of film thickness increases the normal phonon group velocity.
【作者單位】： 東南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;東南大學(xué)江蘇省微納生物醫(yī)療器械設(shè)計與制造重點實驗室;
【分類號】：O484;O735

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本文編號：1519108