雙空位缺陷雙層石墨烯儲鈉性能的第一性原理研究
本文關(guān)鍵詞: 雙層石墨烯 缺陷 容量 密度泛函理論 擴(kuò)散 出處:《物理化學(xué)學(xué)報》2017年03期 論文類型:期刊論文
【摘要】:采用基于密度泛函理論(DFT)的色散修正方法,研究了Na吸附和嵌入在雙空位缺陷(DV)雙層石墨烯(BLG)體系中的形成能、電荷轉(zhuǎn)移、電極電勢和擴(kuò)散行為。形成能計算表明,無論單個Na原子在BLG表面吸附還是層間嵌入,均在DV空位中心處更穩(wěn)定。電荷密度分布和Bader電荷計算表明Na與BLG的結(jié)合方式表現(xiàn)出離子性。Na嵌入DV缺陷BLG層間,缺陷濃度增加使BLG由AB堆垛向AA堆垛轉(zhuǎn)變過程推遲;使Na在DV缺陷BLG的表面和層間能夠穩(wěn)定儲鈉的容量之和增至262.75 mAh?g~(-1),對應(yīng)濃度Na與C摩爾比為2:17,儲鈉濃度繼續(xù)增加,Na在BLG表面吸附容易產(chǎn)生枝晶或團(tuán)簇。當(dāng)層間嵌入Na原子時,表面Na原子向DV缺陷中心方向擴(kuò)散能壘減小、表面Na原子沿相反方向的擴(kuò)散能壘增加,DV缺陷的存在提高了BLG表面捕獲Na的能力。
[Abstract]:A dispersion correction method based on density functional theory (DFT) was used to study the formation energy and charge transfer of Na adsorbed and embedded in the double vacancy defect DVD bilayer graphene bilayer BLGG system. Electrode potential and diffusion behavior. The calculation of formation energy shows that no matter a single Na atom is adsorbed on the surface of BLG or intercalated between layers. The charge density distribution and Bader charge calculation indicate that the binding mode of Na and BLG is ionic. Na is embedded in the BLG layer of DV defect. The change of BLG from AB stack to AA stack was delayed with the increase of defect concentration. So that Na can stabilize the storage capacity of sodium on the surface and between layers of DV defective BLG to 262.75 mAhhh? The ratio of Na to C is 2: 17, and the concentration of sodium storage continues to increase. It is easy to produce dendrites or clusters on the surface of BLG when the interlayer Na atoms are intercalated. The diffusion barrier of surface Na atom toward the center of DV defect decreases, and the diffusion barrier of surface Na atom along the opposite direction increases the existence of DV defect, which enhances the ability of BLG surface to capture Na.
【作者單位】: 遼寧工程技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;遼寧工程技術(shù)大學(xué)礦業(yè)學(xué)院;東北師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院;遼寧工程技術(shù)大學(xué)理學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51274119,21503039)資助項目~~
【分類號】:O613.71;O641.1
【正文快照】: 1引言隨著人們對化學(xué)電源儲能需求的增加,有限的Li資源制約了鋰離子電池在大規(guī)模儲能領(lǐng)域的應(yīng)用,而豐富的Na資源,降低了鈉離子電池(NIB)成本,使其在大規(guī)模儲能領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊1。有研究指出,典型的鋰離子電池(LIB)負(fù)極材料如石墨、硅、錫、銻等不能直接用于NIB,主要由于嵌入
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,本文編號:1489477
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