本文關鍵詞：基于過渡金屬配合物的阻變存儲材料

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【摘要】：阻變型電存儲依靠外加電場作用下存儲介質(zhì)的導電性高低差異,即電學雙穩(wěn)態(tài)或多穩(wěn)態(tài)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,并具有高容量、高柔韌性、低成本、低能耗、可規(guī)模化等優(yōu)點,為下一代高密度存儲技術提供新前景.除了無機氧化物、碳納米材料、有機小分子和有機聚合物半導體材料之外,近年來,過渡金屬配合物在阻變型電存儲方面的應用也引起廣泛關注.本文對迄今為止報道的大部分基于過渡金屬配合物的阻變存儲材料進行了總結和討論,主要包括第VⅢ族金屬[包括Fe(Ⅱ)、Ru(Ⅱ)、Co(Ⅲ)、Rh(Ⅲ)、Ir(Ⅲ)、Pt(Ⅱ)等配合物]、第IB族和ⅡB族金屬[Cu(Ⅱ)、Au(Ⅲ)、Zn(Ⅱ)等配合物]和鑭系過渡金屬配合物[Eu(Ⅲ)及其它],并對各種配合物的存儲行為和存儲機理進行了探討.過渡金屬配合物具有清晰可逆的氧化還原過程,通過改變配體的結構和金屬的種類可以很方便地調(diào)節(jié)材料的前線軌道能級和能隙,利于形成電學雙穩(wěn)態(tài)或多穩(wěn)態(tài),達到二進制或多進制存儲的目的,具有潛在應用價值.
【作者單位】： 中國科學院化學研究所光化學重點實驗室;中國科學院大學化學與化工學院;
【基金】：國家自然科學基金(21271176,21472196,21521062,21501183) 科技部重大儀器設備開發(fā)專項(2012YQ120060) 中科院先導B(XDB 12010400)項目資助~~
【分類號】：O641.4
【正文快照】： 1引言基于電阻突變的電存儲概念最早由華裔科學家蔡少棠[1]在1971年提出.在隨后的幾十年,尤其是2000年以后,關于阻變式存儲的材料和器件研究在全世界范圍內(nèi)掀起熱潮[2].阻變型電存儲的數(shù)據(jù)存取依靠外加電場作用下存儲介質(zhì)的導電性高低差異,即電學雙穩(wěn)態(tài)或多穩(wěn)態(tài)來實現(xiàn),具有器

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