本文關鍵詞：損耗型單負材料雙層結構的反射率及偏振度

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【摘要】：通過傳輸矩陣法,理論研究了損耗型單負材料雙層結構在不同入射角時的反射率和偏振度。結果表明,損耗型單負材料雙層結構不同于常規(guī)介電材料,隨著入射角的增大,p分量反射率比s分量的反射率大。隨著損耗(電損耗和磁損耗)的增大,p波的反射率和s波的反射率差異減小,直到重合,偏振度變?yōu)?。對于損耗型單負材料雙層結構,當MNG層厚度增大時,偏振度變化幅度減小;而當ENG層厚度增大時,偏振度變化幅度增大。
【作者單位】： 山西大同大學固體物理研究所;
【關鍵詞】： 反射率 單負材料 偏振度
【基金】：國家自然科學基金(61307002) 博士科研啟動基金(2014-B-04)資助項目
【分類號】：O734
【正文快照】： 1引言近年來,含特異性材料的光子晶體引起了人們越來越多的關注[1-8]。目前研究較多的特異性材料有雙負材料和單負材料[9-10]:介電常數(shù)和磁導率均為負數(shù)的材料被命名為雙負材料,又稱左手材料;介電常數(shù)和磁導率只有一個為負數(shù)的材料被命名為單負材料,其中包括負介電常數(shù)材料(EN

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