本文關(guān)鍵詞：損耗型單負(fù)材料雙層結(jié)構(gòu)的反射率及偏振度

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【摘要】：通過傳輸矩陣法,理論研究了損耗型單負(fù)材料雙層結(jié)構(gòu)在不同入射角時的反射率和偏振度。結(jié)果表明,損耗型單負(fù)材料雙層結(jié)構(gòu)不同于常規(guī)介電材料,隨著入射角的增大,p分量反射率比s分量的反射率大。隨著損耗(電損耗和磁損耗)的增大,p波的反射率和s波的反射率差異減小,直到重合,偏振度變?yōu)?。對于損耗型單負(fù)材料雙層結(jié)構(gòu),當(dāng)MNG層厚度增大時,偏振度變化幅度減小;而當(dāng)ENG層厚度增大時,偏振度變化幅度增大。
【作者單位】： 山西大同大學(xué)固體物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 反射率 單負(fù)材料 偏振度
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61307002) 博士科研啟動基金(2014-B-04)資助項(xiàng)目
【分類號】：O734
【正文快照】： 1引言近年來,含特異性材料的光子晶體引起了人們越來越多的關(guān)注[1-8]。目前研究較多的特異性材料有雙負(fù)材料和單負(fù)材料[9-10]:介電常數(shù)和磁導(dǎo)率均為負(fù)數(shù)的材料被命名為雙負(fù)材料,又稱左手材料;介電常數(shù)和磁導(dǎo)率只有一個為負(fù)數(shù)的材料被命名為單負(fù)材料,其中包括負(fù)介電常數(shù)材料(EN

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