本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于干法脫硫脫硝的重頻脈沖源關(guān)鍵技術(shù)研究

  更多相關(guān)文章： 脫硫脫硝 脈沖 調(diào)制器 感應(yīng)疊加 重復頻率

【摘要】：脈沖電暈法產(chǎn)生流光放電非平衡等離子體的技術(shù)進行脫硫脫硝,因其具有煙氣處理效率高、處理單位立方體積煙氣功耗小、不會對環(huán)境造成二次污染、處理后的副產(chǎn)物可作為復合肥料的原材料被利用且設(shè)備投資和運行費用合理,是目前最具應(yīng)用前景的煙氣治理技術(shù)之一。因此研究適合于煙氣治理的高壓窄脈沖電源具有重大的意義。采用IGBT和功率MOSFET等固態(tài)功率開關(guān)器件是固態(tài)調(diào)制器技術(shù)的一個最新的發(fā)展方向,這是由于固態(tài)調(diào)制器具有體積相對小、性能穩(wěn)定和重復工作頻率高等優(yōu)點,功率MOSFET的開關(guān)速度能達到二十納秒以下,非常適合使用在脈沖寬度為百納秒左右的調(diào)制器中。本文主要從三個方面研究了脈沖調(diào)制器的相關(guān)技術(shù)。其一,研究了電磁脈沖對調(diào)制器的干擾并設(shè)計相應(yīng)地防護措施。其二,以電容作儲能器件,以MOSFET作開關(guān)的高重復頻率固態(tài)剛管調(diào)制器。其中第二項作為本課題的研究重點。其三,作為針對關(guān)鍵技術(shù)的研究,設(shè)計并研制了以MOSFET作開關(guān)用于產(chǎn)生流光放電的脈沖調(diào)制器,其參數(shù)為:脈沖幅值10k V,脈沖寬度1μs,重復頻率24k Hz。以MOSFET作開關(guān),電容作儲能器件的高重復頻率固態(tài)調(diào)制器系統(tǒng)的研究包括:固態(tài)剛管調(diào)制器陣列的結(jié)構(gòu)、感應(yīng)疊加型輸出方式、變壓器的設(shè)計、同軸屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計、磁性材料的高頻性能、同步脈沖的產(chǎn)生和驅(qū)動、開關(guān)陣列的控制、充電電路的設(shè)計等幾個方面。在進行可行性的理論分析的同時,還作了研究性的實驗。實驗結(jié)果表明,以MOSFET作開關(guān)器件的固態(tài)剛管調(diào)制器系統(tǒng),可以獲得高重復頻率、快上升與下降沿的大功率短脈沖。
【關(guān)鍵詞】：脫硫脫硝 脈沖 調(diào)制器 感應(yīng)疊加 重復頻率
【學位授予單位】：安徽工業(yè)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：X773;TN78
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-16
• 1.1 課題研究背景及意義8-10
• 1.2 脈沖源技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用10-14
• 1.2.1 脈沖源技術(shù)的發(fā)展10-13
• 1.2.2 高壓脈沖源的研究現(xiàn)狀13
• 1.2.3 高壓脈沖源的應(yīng)用13-14
• 1.3 本文的主要研究內(nèi)容14-15
• 1.4 本章小結(jié)15-16
• 第二章 脈沖波形影響因素分析及仿真16-24
• 2.1 雙指數(shù)波理論分析16-18
• 2.2 仿真實驗及波型18-22
• 2.3 剛管調(diào)制器產(chǎn)生矩形脈沖的基本理論22-23
• 2.4 本章小結(jié)23-24
• 第三章 MOSFET作開關(guān)的剛管調(diào)制器的理論分析24-35
• 3.1 拓撲模式--感應(yīng)疊加型剛管調(diào)制器陣列24-27
• 3.2 感應(yīng)疊加型輸出方式的相關(guān)物理問題27-34
• 3.2.1 磁性材料在高頻交變場中相頻與幅頻特性27-30
• 3.2.2 磁芯材料的通頻帶30-32
• 3.2.3 磁性材料幅頻特性和相頻特性的測量32-34
• 3.3 本章小結(jié)34-35
• 第四章 MOSFET作開關(guān)的剛管調(diào)制器的工程設(shè)計35-54
• 4.1 充電電源和充電電路的設(shè)計35-40
• 4.1.1 充電電源35
• 4.1.2 充電電路35-39
• 4.1.3 放電等待電路39-40
• 4.2 調(diào)制器同步控制系統(tǒng)整體工程設(shè)計40-48
• 4.2.1 脈沖發(fā)生電路的設(shè)計40-42
• 4.2.2 驅(qū)動電路設(shè)計42-45
• 4.2.3 隔離變壓器的設(shè)計45-47
• 4.2.4 同軸屏蔽結(jié)構(gòu)的設(shè)計47-48
• 4.3 主工作電路和輸出電路的設(shè)計48-53
• 4.3.1 MOS管開關(guān)特性分析48-50
• 4.3.2 耦合輸出脈沖變壓器的設(shè)計50-52
• 4.3.3 系統(tǒng)原理框圖設(shè)計52-53
• 4.4 本章小結(jié)53-54
• 第五章 電磁脈沖對調(diào)制器系統(tǒng)的干擾分析及防護54-64
• 5.1 電磁脈沖干擾的耦合途徑分析55-56
• 5.2 電磁脈沖傳導干擾模型分析56-57
• 5.3 電磁脈沖傳導干擾干擾實驗57-62
• 5.3.1 實驗設(shè)計57-58
• 5.3.2 共地系統(tǒng)中MOS管柵極干擾測量58-59
• 5.3.3 輸出干擾實驗59-62
• 5.4 傳導干擾抑制方法62-63
• 5.5 本章小結(jié)63-64
• 第六章 實驗及結(jié)果分析64-68
• 6.1 實驗一64-66
• 6.2 實驗二66-67
• 6.3 實驗結(jié)果分析67
• 6.4 本章小結(jié)67-68
• 第七章 總結(jié)與展望68-70
• 7.1 總結(jié)68
• 7.2 展望68-70
• 參考文獻70-73
• 插圖清單73-76
• 表格清單76-77
• 致謝77

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