隨著科技的不斷進(jìn)步,工業(yè)的發(fā)展也突飛猛進(jìn),因此,需要尋找一些新型的材料來支撐工業(yè)的持續(xù)發(fā)展。在工業(yè)迅速發(fā)展的過程中會有大量廢水的產(chǎn)生,對人類的生存和發(fā)展以及環(huán)境造成很大的負(fù)面影響。工業(yè)廢水中常見的污染源是染料廢水,因其難以降解、生物毒性高,一直被看做是難降解的廢水。因此,研究一種材料或者方法來解決廢水污染問題,成為一個熱門的研究領(lǐng)域。近年來,ZnO光催化氧化技術(shù),在新型的廢水處理技術(shù)方面得到了快速的發(fā)展,而ZnO材料因其具有獨特的晶體結(jié)構(gòu)和物理特性,使得ZnO薄膜材料同時具有良好的光電、壓敏、壓電、氣敏等特性,又因其價格低廉、無毒、化學(xué)穩(wěn)定性好、反應(yīng)條件溫和而成為了人們的研究熱點。但是由于ZnO的光譜響應(yīng)區(qū)間僅在紫外區(qū),所以其太陽能的利用率很低；ZnO光照產(chǎn)生的電子-空穴分離效率比較低,以上這兩點均降低了ZnO光催化劑的光催化性能。選用性能獨特的氧化石墨烯材料與氧化鋅納米材料復(fù)合對其進(jìn)行改性,拓寬氧化鋅材料的光譜響應(yīng)區(qū)間至可見區(qū)、降低電子-空穴的復(fù)合率,為光催化技術(shù)的研究奠定了重要的基礎(chǔ)。本論文采用簡單的均勻沉淀法,分別成功合成了ZnO以及Zn02薄膜樣品、ZnO以及氧化石墨烯與氧化鋅... 

【文章來源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１不同娘燒溫度處理下薄膜樣品的ＡＦＭ圖像??（Ａ處理溫度８０’Ｃ；?Ｂ處理溫度１５０

實驗的測試條件為：載荷１Ｎ，滑動速度為３００?ｍｍ／ｍｉｎ。微摩擦磨損試驗機(jī)可Ｗ對??制備的薄膜樣品通過壓／磨的方式評價其強(qiáng)度、抗磨的性能。??圖２－３可Ｗ看出氧化巧薄膜經(jīng)過不同的溫度鍛燒后，８０‘Ｃ下處理的Ｚｎ化薄膜在７?ｈ??后摩擦系數(shù)仍然能很好的保持在０．１，說明Ｚｎ〇２薄膜樣品能夠抵御長時間的摩擦；１５０°Ｃ、??２００’Ｃ、３００‘Ｃ制備的薄膜材料其耐磨性能較差，耐磨壽命只有幾分鐘，這可能是因為隨??著溫度的升高，過氧化巧逐漸向氧化巧晶體轉(zhuǎn)化，在股燒溫度為１５０’Ｃ、２００’Ｃ、３００’Ｃ??時，得到的薄膜組成是過氧化鋒和氧化巧的混合物，而導(dǎo)致摩擦學(xué)性能較差；然而在??４５０’Ｃ鍛燒下的薄膜樣品又具有一定的耐磨性能，耐磨壽命為３３?ｍｉｎ，這可能主要是薄??膜的組成己經(jīng)是結(jié)晶性較好的氧化鋒晶體的原因。摩擦學(xué)研究結(jié)果表明，通過這種簡單??的均勻沉淀方法合成的ＺｎＯ薄膜在摩擦學(xué)方面有一定的應(yīng)用前景。??２．?４．?２電學(xué)性能??Ｗ四探針法測定薄膜樣品的電學(xué)特性，四探針法是最常用的方法，其操作簡單、準(zhǔn)??確度高

?？??ＡＶ??圖２－５?４５ＣＴＣ下薄膜樣品的電性能圖??由圖２－４示可Ｗ看出，８０’Ｃ溫度處理下的Ｚｎ化薄膜樣品其電性能較差，圖中結(jié)果??不是一條導(dǎo)電良好的直線，說明制備的Ｚｎ化薄膜的電學(xué)性能較差，而隨著熱處理溫度??的升高到４５０’Ｃ，過氧化巧薄膜在向氧化巧薄膜轉(zhuǎn)變，由圖２－５中可Ｌ：ｉ＞看出，有ＺｎＯ晶??體存在的薄膜表現(xiàn)了很好的電性能，四探針測試結(jié)果得到的曲線，為較平滑的直線。ＺｎＯ??薄膜的電學(xué)性能測試表明


本文編號：3471355