近年來,隨著光催化技術的發(fā)展,可見光催化利用太陽能降解污染物成為研究熱點,但目前常用的大多數催化劑只對紫外光響應,限制了實際應用。石墨相g-C₃N₄是近年來發(fā)現(xiàn)的一種新型光催化劑,不僅對可見光響應,還廉價易得,但其比表面積較小,可見光吸收強度較低,影響了光催化降解率。本文采取簡單的方法對g-C₃N₄/ZnO進行再復合,制備高效的三相復合催化劑g-C₃N₄/ZnO/NiO和g-C₃N₄/ZnO/Ag,并通過表征分析復合材料的結構及光化學吸收特性,以四環(huán)素（TC）廢水為模擬研究對象,探討其光催化降解TC的性能及機理,具體如下:（1）采用熱縮聚法、沉淀法以及研磨煅燒制備g-C₃N₄/ZnO/NiO三相復合催化劑,利用g-C₃N₄、ZnO和NiO之間形成的Z型異質結和p-n結構,有效提高光生電子空穴對的分離。SEM、EDX、XRD、X... 

【文章來源】：安徽理工大學安徽省

【文章頁數】：83 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

四環(huán)素結構圖

圖 2 半導體光催化主要反應過程[52-54]Figure 2 Semiconductor photocatalysis main reaction process[52-54]2 光催化反應的影響因素大量研究發(fā)現(xiàn)，光催化技術在環(huán)境修復和解決能源短缺問題上具有很高景，但也存在一些問題，如可見光響應范圍較窄、太陽能利用率不高以流子復合較快等問題。這些問題與催化劑自身的特性、環(huán)境體系中存在及污染物的類型密切相關。1.2.2.1 催化劑的特性催化劑的特性包括半導體的能帶間隙、光生載流子遷移效率和晶型結構[（1）半導體的能帶間隙不同半導體材料的能帶間隙不同，根據尺寸量化效應，納米級半導體材與尺寸呈負相關。只有滿足輻射光的能量大于或等于帶隙激發(fā)能量時，電子從導帶到價帶的躍遷，產生光生電子空穴對，且不同半導體產生的

只需滿足相應的條件即可制備。但合成方法不同，所得催化劑性能有所差異，從實際考慮出發(fā)，熱縮聚法最為常用。下圖3為熱誘導合成過程及中間產物，由圖可知只有當溫度高于525℃時，才會形成石墨相 g-C3N4，且形成后的產物具有很高的熱穩(wěn)定性，但若繼續(xù)升高溫度至 600℃，g-C3N4會逐漸升華分解，當溫度達到 700℃后，g-C3N4會完全分

【參考文獻】：
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本文編號：3011546