磷摻雜三氧化鎢納米材料的制備及其光催化性能研究
【學(xué)位單位】:山東農(nóng)業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:O644.1;O643.36;X703
【部分圖文】:
供體和電子受體進(jìn)行氧化/還原反應(yīng)。光生載流子在遷移到移到半導(dǎo)體表面之后,會(huì)經(jīng)歷載流子復(fù)合或者消耗的過(guò)程,。如果光生載流子發(fā)生復(fù)合,則會(huì)釋放出能量,并失去光催化生的是消耗的過(guò)程,則會(huì)與催化劑表面或周圍溶液中的物質(zhì)可以降解溶液中的有機(jī)污染物。其中,光生電子具有還原能氧化還原反應(yīng)將其還原成超氧自由基(·O2 )、羧基(CHO等具有強(qiáng)氧化性的活性物種,可氧化溶液中的有機(jī)污染物;能力,可以和水(H2O)或者羥基(OH-)發(fā)生氧化還原反,也可以直接與污染物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),將其氧化(Oal., 1995)。·OH 可以與電子供體(Donor)發(fā)生作用而將其(Acceptor)發(fā)生作用而將其還原。光催化過(guò)程簡(jiǎn)單示意圖及到如下反應(yīng)式:
2014; 宜沛沛等, 2014; Pettit et al., 2013)。復(fù)合光催化劑內(nèi)部光生載流子的分離過(guò)程可總結(jié)為兩種主要的形式。一種為光生載流子在兩個(gè)半導(dǎo)體之間進(jìn)行遷移,其遷移路徑一般為:在由于能帶位置不同所產(chǎn)生的電場(chǎng)梯度作用下,光生電子會(huì)從具有較高還原能力的半導(dǎo)體導(dǎo)帶上遷移到還原能力相對(duì)較弱的半導(dǎo)體導(dǎo)帶上,而光生空穴則從具有較高氧化能力的半導(dǎo)體價(jià)帶遷移到氧化能力相對(duì)較弱的半導(dǎo)體價(jià)帶上,其轉(zhuǎn)移過(guò)程如圖 2 所示。另一種復(fù)合形式為 Z-型體系,其遷移路徑一般為:還原能力較低的電子會(huì)與另一半導(dǎo)體中氧化能力較低的光生空穴復(fù)合,從而分別留下具有較高還原能力的光生電子和具有較高氧化能力的光生空穴,遷移到半導(dǎo)體表面與污染物發(fā)生氧化還原反應(yīng),該過(guò)程如圖 3 所示。Z-型體系的優(yōu)點(diǎn)是可以保留具有更強(qiáng)氧化能力的光生空穴和更強(qiáng)還原能力的光生電子,因此受到了研究者的廣泛關(guān)注。
圖 3 Z 型體系中光生載流子的遷移示意圖Fig. 3 Schematic diagram of charge separation in Z-type System通過(guò) WO3與其他半導(dǎo)體形成異質(zhì)節(jié)是對(duì) WO3進(jìn)行改性的一種很好的方法,例O3/TiO2(Shi et al., 2015), WO3/SiO2(DePuccio et al., 2015), WO3/ZnWO4(Keeret al., 2015),WO3/BiOI(Luo et al., 2015)和 WO3/Ag3PO4(Zhang et al., 2014)等復(fù)催化劑與單相 WO3比都表現(xiàn)出增強(qiáng)的光催化性能。Cao 等通過(guò)化學(xué)沉淀法成功合成有可見(jiàn)光活性的 AgIO3/WO3復(fù)合光催化劑,該催化劑具有較高的電荷分離率和更可見(jiàn)光區(qū)響應(yīng)范圍,因此比單相的 WO3和 AgIO3催化劑都表現(xiàn)出增強(qiáng)的光催化活Cao et al., 2017)。Arai 等成功合成了 CuBi2O4/WO3復(fù)合光催化劑,該催化劑屬于的 Z 型體系,WO3和 CuBi2O4受光激發(fā)后會(huì)分別產(chǎn)生光生載流子,WO3中的光生還原能力較弱而 CuBi2O4中的光生空穴氧化能力較弱,二者會(huì)進(jìn)行復(fù)合,從而留下
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2827855
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