目的研究空間輻照環(huán)境對SCB-1消雜光熱控涂層性能的影響。方法采用劑量為5000 ESH的真空-紫外輻照、總注量為2.5×1015p/cm2的真空-質(zhì)子輻照、總注量為2.5×1016e/cm2的真空-電子輻照以及2.0×1021 atoms/cm2的原子氧輻照,分別對SCB-1型消雜光熱控涂層進行模擬空間環(huán)境試驗,分析空間輻照試驗前后涂層太陽吸收比αS與半球發(fā)射率εH的變化,并通過X-射線光電子能譜（XPS）檢測涂層表面元素狀態(tài)變化,從而判斷SCB-1涂層耐空間各項輻照因素的穩(wěn)定性。結(jié)果經(jīng)真空-紫外輻照后,SCB-1涂層全波段αS下降了0.007～0.009,400～1100 nmαS下降了0.008～0.010;經(jīng)原子氧作用后,SCB-1涂層全波段與400～1100 nmαS均下降了0.006～0.009;經(jīng)真空-質(zhì)子輻照后,全波段αS下降了0.004～0.005,400～1100 nmαS下降了0.005;經(jīng)真空-電子輻照后,吸收比無明顯變化。以上輻照過程中,SCB-1涂層的半球輻射率均無明顯變化。結(jié)論經(jīng)歷空間模擬輻照試驗,SCB-1消雜光熱控涂層展現(xiàn)出了極佳的抗空間輻照穩(wěn)定性,可... 

【文章來源】：表面技術(shù). 2020,49(12)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

真空-紫外輻照設(shè)備與試片擺放狀態(tài)

原子氧設(shè)備與試片擺放狀態(tài)

圖2 原子氧設(shè)備與試片擺放狀態(tài)涂層太陽吸收比αS依據(jù)GJB 2502.02—2015檢測；涂層半球發(fā)射率εH依據(jù)GJB 2502.03—2015檢測。XPS能譜采用ULVAC-PHI公司PHI Quantera SXM設(shè)備進行檢測，檢測方法依據(jù)GB/T 19500—2004《X射線光電子能譜分析方法通則》，設(shè)備采用Al Kα射線為激發(fā)源，光子能量為1253.6 e V，線寬為0.85 e V，濺射條件為掃描型Ar+槍，標(biāo)樣為熱氧化Si O2/Si。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]新一代星敏感器遮光罩——碳納米管遮光罩技術(shù)研究[J]. 郝云彩,余成武,梁士通,梅志武,騫偉中.  空間控制技術(shù)與應(yīng)用. 2016(02)
[2]空間原子氧環(huán)境對常用熱控涂層的影響[J]. 李濤,姜海富,劉向鵬,趙雪,翟睿瓊.  航天器環(huán)境工程. 2012(03)
[3]基于點源透過率的空間光學(xué)系統(tǒng)雜光測量[J]. 王治樂,龔仲強,張偉,王付剛.  光學(xué)技術(shù). 2011(04)
[4]長壽命衛(wèi)星熱控涂層性能退化及其對衛(wèi)星熱特征的影響[J]. 馬偉,宣益民,韓玉閣,李強.  宇航學(xué)報. 2010(02)
[5]空間相機消雜光設(shè)計及仿真[J]. 鐘興,賈繼強.  光學(xué)精密工程. 2009(03)
[6]低能質(zhì)子對衛(wèi)星熱控涂層太陽吸收率的影響[J]. 馮偉泉,王榮,丁義剛,曾一兵,劉宇明.  中國空間科學(xué)技術(shù). 2007(06)
[7]原子氧對金屬Ag及其表面TiO2-有機硅熱控涂層的侵蝕[J]. 張蕾,嚴(yán)川偉,屈慶,童靖宇,曹楚南.  金屬學(xué)報. 2003(09)
[8]電子輻照能量對Kapton/Al熱控涂層光學(xué)性能的影響[J]. 李春東,楊德莊,何世禹,M.M.Mikhailov.  強激光與粒子束. 2003(08)
[9]防靜電白色熱控涂層的空間環(huán)境性能試驗[J]. 曾一兵,熊春曉,王慧,劉文言.  中國空間科學(xué)技術(shù). 2002(02)

碩士論文
[1]消毒柜密封條用耐紫外/臭氧老化硅橡膠的制備與性能[D]. 張會.浙江大學(xué) 2018
[2]多孔結(jié)構(gòu)高吸收涂層的制備與性能研究[D]. 王澤江.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號：3096898