本文關(guān)鍵詞：空間低溫溶液晶體生長的地基實(shí)驗(yàn)

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【摘要】：首次使用疏水型聚四氟乙烯微孔濾膜,利用其透氣不透水的特性,密封晶體生長容器,采用恒溫蒸發(fā)法進(jìn)行晶體生長.溶劑通過蒸發(fā)離開生長容器后,被生長容器外的吸附劑吸附,使得溶液維持一定過飽和度,以實(shí)現(xiàn)單晶的連續(xù)生長.在此基礎(chǔ)上研制出一套空間低溫溶液晶體生長地基模擬裝置.利用此裝置進(jìn)行了一系列地基模擬實(shí)驗(yàn),獲得一批高質(zhì)量α-LiIO_3單晶,證實(shí)了該生長裝置的溶劑蒸發(fā)量和容器密封性能夠滿足空間低溫溶液晶體生長需要,為未來空間低溫溶液晶體生長實(shí)驗(yàn)奠定了基礎(chǔ).
【作者單位】： 中國科學(xué)院物理研究所;
【基金】：載人航天工程項(xiàng)目(KJ21-14) 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51172269)共同資助
【分類號】：V524
【正文快照】：

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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7 王耀萍,潘冀q

本文編號：1204863