本文關(guān)鍵詞：硅雙極器件ELDRS效應(yīng)機(jī)理的研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： 雙極器件 低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng) 界面 機(jī)理模型 工藝

【摘要】：低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的發(fā)現(xiàn)引起了國(guó)際航天領(lǐng)域的關(guān)注。本文介紹了雙極器件的輻照響應(yīng),綜述了自1991年發(fā)現(xiàn)雙極器件具有ELDRS效應(yīng)二十多年以來ELDRS效應(yīng)機(jī)理研究取得的主要成果,分析了未來可能的研究方向。調(diào)研發(fā)現(xiàn),機(jī)理研究主要聚焦在Si/SiO2界面處,建立工藝與界面特性的關(guān)聯(lián)對(duì)于抑制ELDRS效應(yīng)極具參考價(jià)值。
【作者單位】： 中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所;中國(guó)工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 雙極器件 低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng) 界面 機(jī)理模型 工藝
【分類號(hào)】：V443
【正文快照】： 引言空間中存在著各種高能宇宙射線,這些射線與電子設(shè)備中的材料/元器件相互作用,影響元器件的性能,降低電子設(shè)備的可靠性。當(dāng)雙極型器件暴露在空間極低劑量率的電離輻射環(huán)境下時(shí),會(huì)呈現(xiàn)一種特殊效應(yīng),其電學(xué)性能的退化將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于高劑量率下電學(xué)性能的退化,因此這種現(xiàn)象被稱為，

本文編號(hào)：1103579