本文關(guān)鍵詞：不同基板的GaN器件集成模塊傳熱分析及熱優(yōu)化

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【摘要】：分別對基于3種基板,即印刷電路板(PCB)、覆銅陶瓷板(DBC)及低溫共燒陶瓷板(LTCC)的氮化鎵(GaN)器件集成模塊的傳熱性能進(jìn)行對比分析。結(jié)果表明,DBC模塊的結(jié)-空氣熱阻最低,較高的是LTCC模塊,最高是PCB模塊。在自然對流情況下,DBC模塊的結(jié)-空氣熱阻比PCB模塊低約20%,強(qiáng)制對流情況下低約50%。LTCC基板相對于常用PCB基板及DBC陶瓷基板優(yōu)勢不顯著。設(shè)計(jì)制造了基于PCB基板的GaN器件降壓轉(zhuǎn)換器集成模塊,并對其傳熱性能進(jìn)行熱仿真及實(shí)驗(yàn)研究。根據(jù)熱仿真模型,分析了熱通孔對傳熱的強(qiáng)化作用及平行布置時器件之間的間距對其傳熱性能的影響。結(jié)果顯示通過在PCB基板上打熱通孔可顯著提高模塊的傳熱性能,從無通孔變?yōu)橛型ǹ?通孔面積為10%芯片面積),即可使模塊的結(jié)-空氣熱阻降低12%。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)能源與動力工程學(xué)院;西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 功率器件 集成模塊 傳熱 基板
【分類號】：TK124
【正文快照】： 1引言 GaN功率三極管是近幾年出現(xiàn)并逐步商業(yè)的熱門新材料器件的通態(tài)特性和非常,與桂好的開(關(guān)si)4性%研究表明器件桃具有優(yōu)越,用GaN器件替換Si器件可大幅提高開關(guān)酵,同時保持良好的效率指標(biāo)。毫無疑問,GaN器件將會在低壓、小功率的電源裝置中獲得越來越普遍的應(yīng)用,并枿力雌

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1 王關(guān)全;楊玉青;劉業(yè)兵;胡睿;李昊;鐘正坤;羅順忠;;GaN器件輻伏同位素電池的電輸出性能研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2013年12期

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本文編號：968885