本文關鍵詞：柱狀微結(jié)構(gòu)射流強化換熱性能研究

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【摘要】：對電子芯片射流沖擊強化沸騰換熱進行了實驗研究。通過干腐蝕技術(shù)在硅片表面加工出交錯排列30μm×60μm,50μm×60μm,50μm×120μm,30μm×120μm(寬×高)的柱狀微結(jié)構(gòu),硅片尺寸為10 mm×10 mm×0.5mm。實驗工質(zhì)為FC-72,噴射速度V_j分別為0.5,1和1.5 m·s~(-1),噴嘴數(shù)目分別為1,4和9,對應的噴嘴直徑分別為3,1.5和1 mm,噴嘴出口到芯片表面的距離分別為3,6和9 mm。實驗表明,交錯排列柱狀微結(jié)構(gòu)的換熱效果要好于光滑芯片,臨界熱流密度(CHF)隨著噴射速度的增加而增加。在核態(tài)沸騰區(qū)的整個噴射速度區(qū)間內(nèi),S-PF30-120的傳熱系數(shù)和CHF都是最高的。同時,對不同的換熱方式進行了比較,包括池沸騰,流動沸騰,射流沖擊和流動-噴射復合式沸騰換熱。
【作者單位】： 西安交通大學動力工程多相流國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 射流沖擊 強化換熱 柱狀微結(jié)構(gòu) 換熱方式
【基金】：國家自然科學基金資助項目(No.51225601,No.51506169) 西安交通大學新教師啟動計劃(No.DW010728K000000B) 中國博士后科學基金面上項目(No.2015M582653)
【分類號】：TK124
【正文快照】： 0引言 微電子技術(shù)發(fā)展有兩大趨勢,一是電子器件的小型化、集成化;二是高頻化、高運算速度,由此帶來的電子器件高散熱率問題越來越受到重視。傳統(tǒng)的風冷散熱技術(shù)已達到瓶頸,不能滿足高散熱率的要求。沸騰換熱是一種有效的傳熱方式,在換熱面加工上微結(jié)構(gòu)則進一步強化了換熱。

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1 胡亞才,范利武,俞自濤,黃君麗,田甜,方夢祥,岑可法;木材微結(jié)構(gòu)對其傳熱特性影響的實驗研究[J];工程熱物理學報;2005年S1期

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1 焦焱;周期性微結(jié)構(gòu)表面輻射特性及其調(diào)控方法[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年

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本文編號：1117276