本文關(guān)鍵詞：1200V碳化硅MOSFET設(shè)計

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【摘要】：設(shè)計了一種阻斷電壓大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法對器件的終端電場分布進行了優(yōu)化。器件采用12μm厚、摻雜濃度為6e15cm-3的N型低摻雜區(qū)。終端保護結(jié)構(gòu)采用保護環(huán)結(jié)構(gòu)。柵壓20V、漏壓2V時,導(dǎo)通電流大于13A,擊穿電壓達1 900V。
【作者單位】： 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室南京電子器件研究所;
【關(guān)鍵詞】： H型碳化硅 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 終端保護 界面態(tài)
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2014AA052401)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 引言目前Si IGBT在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,但受材料物理特性的限制,Si IGBT的性能提升受到了很大限制。SiC材料禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和漂移速度和熱導(dǎo)率大,這些材料優(yōu)越性能使其成為制作高功率、高頻、耐高溫、抗輻射器件的理想材料。SiC電力電子器件在阻斷性能

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本文編號：946246