本文關(guān)鍵詞：LED制備中剝離技術(shù)的研究進(jìn)展

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【摘要】：隨著LED芯片功率的增加,結(jié)溫升高導(dǎo)致傳統(tǒng)LED芯片的可靠性和使用壽命明顯下降。介紹了LED芯片的研究背景,指出散熱問(wèn)題是制約LED芯片發(fā)展的重要因素,因此研發(fā)可靠性高的散熱技術(shù)已成為制備新型LED芯片的重要研究方向。詳細(xì)論述了三種剝離技術(shù)在制備新型LED芯片中所起的重要作用及目前的技術(shù)水平。激光剝離技術(shù)剝離速度快、發(fā)展相對(duì)成熟;化學(xué)剝離技術(shù)對(duì)GaN薄膜損傷小、良率高、但剝離速度慢;機(jī)械剝離技術(shù)良率低,在LED領(lǐng)域應(yīng)用較少。從工業(yè)化生產(chǎn)的角度指出了剝離技術(shù)未來(lái)的發(fā)展方向。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;河北同輝電子科技股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 剝離 LED 散熱 可靠性 使用壽命
【基金】：河北省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(15211017D)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 天津300130;3.河北同輝電子科技股份有限公司,石家莊050000)0引言從1907年H.J.Round教授[1]研發(fā)出第一支SiC發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)到1993年中村修二先生首先在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出InGaN/GaN材料外延層實(shí)現(xiàn)了商用藍(lán)光LED的制備[2]再到現(xiàn)在,LED已經(jīng)取得了巨大發(fā)展

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